发明名称 阻抗金属层及其制法
摘要 本发明揭示一种电沈积平面阻抗层,其可与导电层和绝缘层一起使用,以制备用于生产印刷电路板的积层板。阻抗层的制备乃是在一电镀浴中进行电镀而得来,该电镀浴包含一种泛用导电性金属成份的来源以及一种增加非金属电阻的添加剂来源。由此可制造薄层电阻为约15到约1000欧姆/平方公分的平面电阻器。
申请公布号 TW199260 申请公布日期 1993.02.01
申请号 TW081107598 申请日期 1992.09.25
申请人 古尔德电子公司 发明人 曲赫.李;克利斯特福J.费维尔;欣得尼J.克罗瑟;玛利K.布罗寇
分类号 H05K3/00 主分类号 H05K3/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种阻抗层,其系包括一种泛用导电金属成份(A)和一种增加电阻数量的非金属添加剂(B)所构成的组合物,其中金属成份(A)包括铬;非金属添加剂(B)包括对总体阻抗层中每个一般使用导电金属成份(A)原子至少平均约0.001个碳或氮原子,或两个或两个以上碳,氮和磷混合物;和金属成份(A)包括平均至少约总阻抗层约80%重量组成。2.如申请专利范围第1项的阻抗层,其中当阻抗层的厚度为约0.1到约0.4微米时,阻抗层的薄层电阻为每平方英尺约15到约1000欧姆。3.如申请专利范围第1项的阻抗层,其中总阻抗层包括每个金属成份(A)原子至少约0.01个氧原子。4.如申请专利范围第1项的阻抗层,其中总阻抗层包括至少平均约80%重量组成的铬。5.如申请专利范围第1项的阻抗层,其中总阻抗层包括每个金属成份(A)原子至少约0.01个碳原子。6.如申请专利范围第1项的阻抗层,其中金属成份(A)尚包括钴,钒,钼或钨。7.如申请专利范围第1项的组抗层,其中非金属添加剂(B)包括对总体组抗层每个金属成份(A)而言平均至少约0.01个氧原子和至少约0.001原子碳;和铬包括平均至少约占阻抗层80%重量组成。8.一种组抗层,其系包括一种泛用导电金属成份(A)和一种增加电阻数量的非金属添加剂(B)所构成的组合物,其中金属成份(A)包括铬和钴,,钒,钼或钨;非金属添加剂(B)包括对每个金属成份(A)而言,至少平均约0.001个碳,氮或磷原子,或两个或两个以上碳,氮和磷混合物。9.如申请专利范围第8项的阻抗层,其中金属成份(A)包括至少占总体阻抗层平均约80%重量组成。10.如申请专利范围第8项的阻抗层,其中非金属添加剂(B)包括对总体阻抗层中对每个金属成份(A)原子而言平均至少约0.01个氧原子和至少约0.001个原子碳。11.一种组抗层,其系包括一种一般使用导电金属成份(A)和一种增加电阻数量的非金属添加剂(B)所构成的组合物,其中金属成份(A)包括铬;非金属添加剂(B)包括碳和氧;和组抗层的厚度约0.1到约0.4徵米,薄层电组为每平方英尺约15到约1000欧姆。12.如申请专利范围第11项的组抗层,其中阻抗层的总体电阻大于600微欧姆公分。13.如申请专利范围第11项的组抗层,其中总阻抗层经X射线绕射分折包括一体心立方晶格结构和一简单立方晶格结构。14.如申请专利范围第13项的袓抗层,其中简单立方晶格结构包括组抗层一小相晶格结构。15.一种多层箔片,其包括一在导电箔片层上的如申请专利范围第1项的阻抗层。16.一种多层箔片,其包括一在导电箔片层上的如申请专利范围第7项的阻抗层。17.一种多层箔片,其包括一在导电箔片层上的如申请专利范围第8项的阻抗层。18.一种多层箔片,其包括一在导电箔片层上的如申请专利范围第10项的阻抗层。19.一种多层箔片,其包括一在导电箔片层上的如申请专利范围第11项的阻抗层。20.一种积层板,其系包括粘附到一绝缘层上如申请专利范围第1项的阻抗层。21.如申请专利范围第20项的积层板,其更包括一粘附到阻抗层的导电箔片层。22.一种积层板,其系包括一粘附到一绝缘层上如申请专利范围第7项的阻抗层,以及一粘附到该阻抗层的导电箔片层。23.一种积层扳,其系包括一粘附到一绝缘层上如申请专利范围第8项的阻抗层,以及一粘附到该阻抗层的导电箔片层。24.一种积层扳,其系包括一粘附到一绝缘层上如申请专利范围第10项的阻抗层,以及一粘附到该阻抗层的导电箔片层。25.一种积层板,其系包括一粘附到一绝缘层上如申请专利范围第11项的阻抗层,以及一粘附到该阻抗层的导电箔片层。26.一种印刷电路板,其系包括一绝缘层和一结合到该绝缘层上的阻抗线,该阻抗线包括一般使用导电金属成份和一增加电阻数量的非金属添加剂所构成的组合物,其中:金属成份(A)包括铬:非金属添加剂(B)包括对总体阻抗层中每个一般使用导电金属成份(A)原子至少平均约0.001个碳或氮原子,或两个或两个以上碳,氮和磷混合物;和金属成份(A)包括平均至少约总阻抗层80%重量组成。27.一种印刷电路板,其系包括一绝缘层和一结合到该绝缘层上的组抗线,该阻抗线包括一搬使用导电金属成份和一增加电阻数量的非金属添加剂所构成的组合物,其中:金属成份(A)包括铬和钴,钒,钼或钨;非金属添加剂(B)包括对每个金属成份(A)而言,每个一般使用导电金属成份(A)原子至少平均约0.001个碳,氮或磷原子,或两个或两个以上碳,氮和磷混合物。28.一种印刷电路板,其系包括一绝缘层和一结合到该绝缘层上的阻抗线,该组抗线包括一一般使用导电金属成份和一增加电阻数量的非金属添加剂所构成的组合物,其中:金属成份(A)包括铬:非金属添加剂(B)包括碳和氧;和阻抗层的总电阻至少约600微欧姆公分。29.一种电镀阻抗层的方法,其包括:(A)提供一种电镀浴,其中包括一水溶液,水溶液由一种一般性的导电金属成份的第一来源和一种可提高电阻数量的非金属添加剂的第二来源的水溶液组成,添加剂包括碳或氮,或者是二或多种碳,氮和磷的混合物;(B)将导电元件置入该电镀浴中;(C)将一层由该金属元件和该添加剂的组合物电镀在该导电元件上,其系以该导电元件作为阴极将电流通入电镀浴中。30.如申请专利范围第29项的方法,其中第二来源包括甲酸,乙酸,丙酸或该酸的硷金属盐。31.如申请专利范围第29项的方法,其中该第二来源包括乙酸或丙酸。32.如申请专利范围第29项的方法,其中电镀浴包括卤氧阴离子。33.一种电沈积一组抗层的电镀浴,其系包括泛用导电金属成份的第一来源和一种可提高电阻数量的非金属添加剂的第二来源的水溶液,该添加剂包括碳或氮,或者是二或多种碳,氮和磷的混合物。34.如申请专利范围第33项的电镀浴,其中第一来源包括铬,第二来源包括乙酸或丙酸。35.如申请专利范围第34项的电镀浴,其中该电镀浴更包括卤氧阴离子。36.一种制备印刷电路板的方法,该电路板具备至少一阻抗线和一在绝缘层上的导电面积,其包括以下步骤;(A)提供一积层板,该积层板具备一绝缘层,一结合到绝缘层上的阻抗层,和一固定在导电层上并且包括主要数量的导电金属(铬除外)导电金属箔层,阻抗层包括一般使用导电金属元件和增加电阻数量的非金属电阻添加剂的组合物,金属元件包括铬而非金属添加剂包括碳或氮,或者其两者的混合,或者碳,氮和磷的组合,于所有阻抗层中;(B)用第一罩罩住积层板;(C)使具备第一罩的积层板与可较佳的蚀刻相对于阻抗层的金属箔片层的第一蚀刻液接触,以期从未被第一罩覆盖的阻抗铬层除去导电箔片层;(D)使积层板与包括氢氯酸的蚀刻液接触,以期从所有未被第一罩覆盖的绝缘层除去阻抗层;(E)从积层板除去第一罩;(F)使用第二罩罩住积层板;和(G)使具备第二罩的积层板与可较佳的蚀刻相对于阻抗层的导电箔片层的第三蚀刻液接触,以期从未被第二罩覆盖的积层板除去导电箔片层而同时留下阻抗铬层;其中被第一罩覆盖的阻抗层在绝缘层上界定一阻抗含铬线,而被而第二罩覆盖的导电箔片在阻抗铬线上的一部份界定一导电金属区域。37.如申请专利范围第36项的方法,其中导电金属箔片层为一铜箔,第一和第二蚀液包括氯化铜。38.如申请专利范围第36项的方法,其中导电箔片层为一镍箔,第一和第三蚀刻液分别包括硷性氨蚀刻液,氯化铁,氯化铜或过氧化氢。39.如申请专利范围第36项的方法,其中非金属添加剂也包括氧。40.如申请专利范围第36项的方法,其中非金属添加剂包括碳和氧。41.一种制备印刷电路板的方法,该电路板具备至少一阻抗线和一在绝缘层上的导电面积,其包括以下步骤;(A)提供一积层板,该积层板具备一绝缘层,一结合到绝缘层上的阻抗层,和一固定在导电层上的导电金属箔层,其中阻抗层包括一般使用的含镍导电金属元件和增加电组数量的非金属(不是磷)电阻添加剂的组合物;(B)用第一罩罩住积层板;(C)使具备第一罩的积层板与可较佳的蚀刻铜箔和含镍阻抗层的第一蚀刻液接触,以期从未被第一罩覆盖的所有部份的绝缘层除去导电铜箔和阻抗层;(D)从积层板除去第一罩;(E)使用第二罩罩住积层板;(F)使具备第二罩的积层板与可较佳的蚀刻相对于含镍阻抗层的铜箔的第三蚀到液接触,以期从积层板未被覆盖的所有部份除去导电箔而同时留下阻抗铬层;其中该第一罩覆盖的阻抗层在绝缘层上界定一阻抗线,而被第二罩覆盖的铜箔在阻抗铬镍线上的一部份界定一导电铜区域。42.如申请专利范围第41项的方法,其中非金属添加剂包括硫。43.如申请专利范围第42项的方法,其中在步骤(C)和步骤(D)之间为步骤(C1),其包括使具备第一罩的积层板与包括铬酸和硫酸的第二蚀刻液接触,以去除绝缘层所有未被罩覆盖部份的残留物。44.如申请专利范围第43项的方法,其中第一蚀刻液包括
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