| 主权项 |
1.一种制造一具有场效电晶体之半导体元件之方 法,该场 效电晶体具有一源极区及一吸极区及一由至少两 个部份构 成之闸极,闸极之基底部份于源极区至吸极区方向 较位于 其上之一第二部份之尺寸为大,第二部份具有一第 一层, 闸极之基底部份自第一层蚀刻,该第一层由一第二 层所覆 盖,该第二层于闸极构成处具有一开口,该开口以 一第三 层填充,其特征在于该第三层系沈积于整体组件之 上,然 后经过容积减小处理直到其中之一部份留在开口 中以构成 闸极第二部份为止。2.根据申请专利范围第1项之 方法,其中一蚀刻处理系用 以作为容积减小处理。3.根据申请专利范围第3项 之方法,其中,在第三层被蚀 刻掉之前,提供一光阻层,该光阻层与第三层一起 被蚀刻 掉。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中一研磨 处理系用 以作为容积减小处理。5.根据申请专利范围第1项 之方法,其中一层非晶矽及一 层多晶矽分别被用来作为第一层及第二层。6.根 据申请专利范围第5项之方法,其中一氧化矽层被 用 来作为第二层。7.根据申请专利范围第1,2,3,4,5或6 项之方法,其中 |
