| 发明名称 | 感测半导体存储器件反偏压电平的电路 | ||
| 摘要 | 用于半导体器件中的一个反偏电平传感器，其中用以感测反偏电压(VBB)的感测电流(I50)被防止直接流入衬底(或反偏电压端子)。一个PMOS晶体管(50)的栅极被提供以该反偏电压，而其源极被提供以地电压，在反偏电压(VBB)低于预定电压电平时，一个泵电路(300)执行泵激操作从而增大反偏电压。反之，解除对泵电路(300)的激励，从而减小反偏电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1067773A | 申请公布日期 | 1993.01.06 |
| 申请号 | CN91110773.8 | 申请日期 | 1991.11.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李永宅;韩真晚;金敬昊;黄泓善 |
| 分类号 | H03L1/00;H03K3/02;G05F1/10 | 主分类号 | H03L1/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正 |
| 主权项 | 1、一种在含有泵电路(300)的反偏压发生器中用以感测反偏电压电平的电路，其特征在于包括：一个控制端子(VBB)，与所述反偏电压相耦合；一个感测端子(49)，经过用以驱动上述泵电路的驱动装置与上述泵电路(300)相耦合；及一个电沟道，用以响应上述反偏电压电平将上述感测端子(49)与地参考电压端子在电气上相连接，上述沟道借助绝缘元件与上述控制端子(VBB)在电气上相绝缘。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||