| 发明名称 |
Insulated gate enhancement mode field effect transistor with slew-rate control on drain output |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5157351(A) |
申请公布日期 |
1992.10.20 |
| 申请号 |
US19910751410 |
申请日期 |
1991.08.28 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. |
发明人 |
CAROBOLANTE, FRANCESCO |
| 分类号 |
H01F7/18;H03F3/16;H03K17/16;H03K17/695 |
主分类号 |
H01F7/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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