发明名称 LEAD FRAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING IT
摘要 L'invention se rapporte à un cadre de montage comprenant une baseproduite à partir d'un alliage à base de Cu et sur laquelle est en outre formée une couche d'oxydes. L'alliage à base de Cu est soit un alliage qui comporte des particules dispersées, dont une partie est répartie et exposée sur la surface de l'alliage, soit un alliage qui contient du P selon une quantité de 30 ppm au maximum. Dans le cas où la base du cadre de montage est produite à partir de l'alliage comtenant les particules dispersées, dès lors qu'une couche contenant des oxydes sous la forme de particules dispersées est formée, les propriétés adhésives de la couche d'oxydes sont améliorées. Dans le cas ou la base du cadre de montage est produite à partir de l'alliage à base de Cu contenant une quantité spécifiée de P, une couche d'oxydes possédant un excellent pouvoir adhésif peut également être formée. Grâce à de telles couches d'oxydes, les propriétés d'adhésion à une résine de protection sont améliorées et la fiabilité d'un boîtier à semiconducteurs utilisant un tel cadre peut être accrue.
申请公布号 WO9119320(A1) 申请公布日期 1991.12.12
申请号 WO1991JP00728 申请日期 1991.05.30
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 KUSE, TAKASHI;NAKASHIMA, NOBUAKI
分类号 H01L23/50;C22C9/00;H01L23/495 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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