Process and apparatus for manufacturing conductive layers or structures for highly integrated circuits.

摘要

Bei einem Verfahren zur Herstellung von leitenden Schichten oder Strukturen für höchstintegrierte Schaltungen werden mindestens zwei Verfahrensstufen direkt hintereinander in verschiedenen Kammern (1 bis 6) einer Hochvakuum-Anlage ausgeführt, ohne die Hochvakuum-Bedingungen für das Halbleitersubstrat zu unterbrechen. Die Vermeidung einer Exposition an Luft zwischen den Verfahrensstufen liefert deutlich bessere Schichteigenschaften und ermöglicht insbesondere einfache und zuverlässige mehrstufige Verfahren zur Herstellung von leitenden Schichten, die eine Mehrlagenverdrahtung auf dem Halbleitersubstrat unterstützen. Eine verwendete Vorrichtung besteht aus mehreren Hochvakuum-Prozeßkammern (1 bis 6), mindestens einer die Prozeßkammern verbindenden Hochvakuum-Verteilerkammer (7) und mindestens zwei Hochvakuum-Vorratskammern (8, 9) für Halbleitersubstrate.