发明名称 | 超高频中功率负载及其对制造工艺的改进 | ||
摘要 | 一种超高频中功率负载采用了特殊设计的卡片式衰减片,使作用新型材料氮化钽铝作为基体。这种卡片式衰减片可以在产品成型后进行阻抗再调节,提高产品的精度和合格率。本产品体积小,衰减功率大,不用风冷,可以用作代天线或用作功率指示。 | ||
申请公布号 | CN1003752B | 申请公布日期 | 1989.03.29 |
申请号 | CN86106375.9 | 申请日期 | 1986.09.22 |
申请人 | 上海市测试技术研究所 | 发明人 | 乔世忠;张广英;曹瑛花 |
分类号 | H01P1/22 | 主分类号 | H01P1/22 |
代理机构 | 上海专利事务所 | 代理人 | 胡英浩 |
主权项 | 1.一个超高频(VHF)中功率(P≤120w)负载,包括一个同轴传输内导体,多个散热片,一个绝热过渡传输线,一个功率输入接头和衰减片,该高频功率输入接头固定在该同轴传输内导体的一端,其另一端延伸进入该内导体中,其特征在于该同轴传输内导体上安置有多个散热片,延伸进入内导体中的该高频功率接头的另一端与位于该内导体中的绝热过渡传输线的一端相接触,其另一端与一卡片式衰减片相接触,该绝热过渡传输线用于绝热并用于阻抗匹配,在该卡片式衰减片上溅射有用于衰减功率的复合电阻材料;上述复合电阻被溅射成分段的多个中间电阻,在中间电阻的两边溅射有用于按设计要求进行阻抗再调整的边缘电阻。 | ||
地址 | 上海市长乐路1227号 |