| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft RC-Leitungen, die als Bauelemente für die Filtersynthese eingesetzt werden, wobei Widerstände und Kondensatoren nicht als diskrete Bauelemente nebeneinander, sondern als Dreischichtstruktur, bestehend aus zwei leitenden Polysilizium-Schichten und einer dazwischen liegenden Oxidschicht, übereinander auf einem Halbleitergrundkörper angeordnet werden. Die beiden Polysilizium-Schichten bilden zusammen mit der Oxidschicht eine verteilte Kapazität, wobei eine leitende Polysilizium-Schicht einen ohmschen Widerstand realisiert. Durch die flächenhafte Ausbildung der Polysilizium-Schichten und der Oxidschicht entstehen ohmsche Parasitäten, die die elektrischen Eigenschaften der RC-Leitung wesentlich verschlechtern. Diese ohmschen Parasitäten werden erfindungsgemäß dadurch eliminiert, daß sowohl die beiden Polysilizium-Schichten als auch die dazwischen liegende Oxidschicht leiterbahnartig strukturiert sind, in der Weise, daß die Bahnen in flächensparender Weise parallel zur Ebene des Halbleitergrundkörpers gefaltet oder gerollt sind und kongruent übereinander liegen.</p> |
