Integrated circuit with an electroconductive flat element.

摘要

Eine integrierte Halbleiterschaltung weist in einem Teilbereich ihrer Oberfläche Flächenelemente (F) auf, die mindestens gleich dick sind wie Leiterbahnen (L) der integrierten Halbleiterschaltung und gleiche chemische Eigenschaften haben wie diese. Sie sind oberhalb eines Teiles dieser Leiterbahnen (L) als zweite Metallisierungsebene angeordnet. Eine darüberliegende Passivierungsschicht (P) ist an Stellen oberhalb der von einem Flächenelement (F) bedeckten Leiterbahnen (L) mindestens gleich dick oder dicker als solche oberhalb von Leiterbahnen (L1), die nicht von den Flächenelementen (F) bedeckt sind.