| 发明名称 |
METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED FIELD EFFECT TRANSISTORS IN INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0083785(A3) |
申请公布日期 |
1985.01.23 |
| 申请号 |
EP19820111973 |
申请日期 |
1982.12.27 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
RISEMAN, JACOB |
| 分类号 |
H01L21/033;H01L21/225;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/033 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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