| 发明名称 |
Force sensors. |
| 摘要 |
<p>A force sensor comprising a field effect transistor structure (1, 3, 5, 9, 17) with a layer of piezoelectric material (11) between the channel region (9) and the gate electrode (17).</p> |
| 申请公布号 |
EP0087264(A2) |
申请公布日期 |
1983.08.31 |
| 申请号 |
EP19830300771 |
申请日期 |
1983.02.16 |
| 申请人 |
THE GENERAL ELECTRIC COMPANY, P.L.C. |
发明人 |
READ, EILEEN;MCCAUGHAN, DANIEL VINCENT |
| 分类号 |
B06B1/06;G01L1/18;H01L29/84;(IPC1-7):01L29/24 |
主分类号 |
B06B1/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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