| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE.</P><P>SELON L'INVENTION, IL COMPREND UNE REGION DE SOURCE 5, UNE REGION DE DRAIN 7, 8, UNE REGION DE FORMATION DE CANAL 6, UNE GORGE 10 FORMEE DE FACON A S'ETENDRE A TRAVERS LA REGION DE SOURCE JUSQU'A LA REGION DE DRAIN, UNE COUCHE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR PREVUE SUR LA GORGE ET UNE PARTIE PLANE OU AUCUNE GORGE N'EST FORMEE, UNE COUCHE DE REGION DE GRILLE 3 EN CONTACT PAR LA COUCHE D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR AVEC LA GORGE ET LA PARTIE PLANE, ET LA REGION DE FORMATION DE CANAL EST ETABLIE POUR ETRE EXPOSEE A LA GORGE ET A LA PARTIE PLANE.</P><P>L'INVENTION PERMET NOTAMMENT DE REDUIRE LA RESISTANCE A L'ETAT PASSANT DE TELS TRANSISTORS.</P>
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