| 主权项 |
1.一种背光模组,其包括: 一导光板,系用以引导光源发出之光束,该导光板 包括至少一入射面、一与入射面相连之出光面及 一相对出光面之底面; 至少一发光二极体,其系用以作为光源发出光束并 相对导光板之入射面设置,该发光二极体包括一基 板、一发光晶片及一封装树脂,该封装树脂包覆该 发光晶片并形成一出射面; 其中,该出射面具有复数V-Cut结构。 2.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该导 光板为平板形或楔形。 3.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该底 面设置复数规则分布之网点或V形槽。 4.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该底 面镀有反射膜。 5.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该出 光面系雾化表面。 6.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该入 射面镀有增透膜。 7.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该入 射面相对发光二极体设有萤光层。 8.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该发 光二极体V-Cut结构系连续周期变化。 9.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该发 光二极体V-Cut结构之顶角介于75与145之间。 10.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该 发光二极体V-Cut结构之高度为小于或等于10m。 11.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该 发光二极体V-Cut结构之间间距为小于或等于30m 。 12.如申请专利范围第1项所述之背光模组,其中该 发光二极体V-Cut结构周期为小于或等于50m。 13.如申请专利范围第10项所述之背光模组,其中该 发光二极体V-Cut结构之高度为10m。 14.如申请专利范围第11项所述之背光模组,其中该 发光二极体V-Cut结构之间间距为30m。 15.如申请专利范围第12项所述之背光模组,其中该 发光二极体V-Cut结构周期为50m。 16.一种发光二极体,其包括: 一基板; 一发光晶片,固定在该基板上; 一封装树脂,包覆该发光晶片并形成一出射面; 其中,该出射面具有复数V-Cut结构。 17.如申请专利范围第16项所述之发光二极体,其中 该V-Cut结构系连续周期变化。 18.如申请专利范围第16项所述之发光二极体,其中 该V-Cut结构之顶角介于75与145之间。 19.如申请专利范围第16项所述之发光二极体,其中 该V-Cut结构之高度为小于或等于10m。 20.如申请专利范围第16项所述之发光二极体,其中 该V-Cut结构之间间距为小于或等于30m。 21.如申请专利范围第16项所述之发光二极体,其中 该V-Cut结构周期为小于或等于50m。 22.如申请专利范围第19项所述之发光二极体,其中 该发光二极体V-Cut结构之高度为10m。 23.如申请专利范围第20项所述之发光二极体,其中 该发光二极体V-Cut结构之间间距为30m。 24.如申请专利范围第21项所述之发光二极体,其中 该发光二极体V-Cut结构周期为50m。 图式简单说明: 第一图系先前技术之发光二极体结构示意图。 第二图系先前技术之背光模组光路示意图。 第三图系本发明背光模组之平面示意图。 第四图系本发明发光二极体之结构示意图。 第五图系本发明发光二极体之V-Cut结构之放大图 。 |
