| 摘要 |
반도체 스위칭 디바이스는 제1 도전성 타입(예를 들어, n-타입)을 갖는 와이드 밴드 갭 드리프트 층, 및 와이드 밴드 갭 드리프트 층 상에 제2 도전성 타입(예를 들어, p-타입)을 갖는 제1 및 제2 와이드 밴드 갭 웰 영역들을 포함한다. 제1 도전성 타입의 제1 및 제2 와이드 밴드 갭 소스/드레인 영역들은 각각 제1 및 제2 와이드 밴드 갭 웰 영역들 상에 있다. 제1 도전성 타입을 갖는 와이드 밴드 갭 JFET 영역이 제1 및 제2 웰 영역들 사이에 제공된다. 이 JFET 영역은 제1 웰 영역의 측면에 인접한 제1 로컬 JFET 영역 및 제2 웰 영역의 측면에 인접한 제2 로컬 JFET 영역을 포함한다. 로컬 JFET 영역들은 JFET 영역의 제1 및 제2 로컬 JFET 영역들 사이에 있는 JFET 영역의 중심부의 도핑 농도를 초과하는 도핑 농도를 갖는다. |
