发明名称 Photoresist composition and method of fabricating thin film transistor substrate
摘要 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 디지털 노광에 사용되는 포토레지스트로써, 노볼락 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지, 디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제 및 용매를 포함할 수 있다. [화학식 1] 여기서, 화학식 1에서 R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다.
申请公布号 KR101632965(B1) 申请公布日期 2016.06.24
申请号 KR20080135908 申请日期 2008.12.29
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 윤상현;전우석;박정인;이희국;김병욱;김동민;김승기;변자훈
分类号 G03F7/022 主分类号 G03F7/022
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利