发光二极体单元

主权项

1.一种发光二极体单元，其包含有：一支架；一壳体，其用于容纳该支架，且该壳体具有碗状结构，该碗状结构具有各自两两相对的第一碗壁及第二碗壁，该第二碗壁的上缘为一第一凹凸结构；一发光二极体晶片，其装设于该支架上；一封装胶体，其封装于该碗状结构，且该封装胶体具有与该碗状结构相对应的封装结构。2.根据申请专利范围第1项所述的发光二极体单元，其中，该封装结构具有一上表面，其中该上表面系为一第二凹凸结构。3.根据申请专利范围第2项所述的发光二极体单元，其中，该第二凹凸结构系对应于该第一凹凸结构。4.根据申请专利范围第1项所述的发光二极体单元，其中，该第一凹凸结构包括有至少一凸起结构和两下凹结构，该下凹结构位于该第二碗壁之与该第一碗壁相邻的两侧，而该凸起结构则位于该两下凹结构之间。5.根据申请专利范围第2项或第3项所述的发光二极体单元，其中，该第二凹凸结构包括至少一凸起结构和两下凹结构，该凸起结构位于该发光二极体晶片的上方，而该第二凹凸结构之该下凹结构则位于该第二凹凸结构之该至少一凸起结构的两侧。6.根据申请专利范围第1项所述的发光二极体单元，其中，该第一碗壁与该第二碗壁皆为斜面。7.根据申请专利范围第5项所述的发光二极体单元，其中，该壳体更包括一位于该碗状结构两侧之平台部，该第一凹凸结构之该凸起结构的高度系低于或等于该壳体之平台部的高度；该第二凹凸结构之凸起结构的高度系低于或等于该壳体之平台部的高度。8.根据申请专利范围第5项所述的发光二极体单元，其中，该第一凹凸结构之该下凹结构的深度不大于该碗状结构的深度的0.3倍；该第二凹凸结构之该下凹结构的深度不大于该碗状结构的深度的0.3倍。9.根据申请专利范围第5项所述的发光二极体单元，其中该第一凹凸结构之该凸起结构的高度不大于该碗状结构的深度的0.3倍；该第二凹凸结构之该凸起结构的高度不大于该碗状结构的深度的0.3倍。10.根据申请专利范围第5项所述的发光二极体单元，其中，该第一凹凸结构之该凸起结构的宽度不小于该碗状结构的宽度的0.2倍；该第二凹凸结构之该凸起结构的宽度不小于该碗状结构的宽度的0.2倍。图式简单说明：图1a为本创作发光二极体单元第一实施例的未填充封装胶体的整体结构示意图。图1b为本创作发光二极体单元第一实施例的已填充封装胶体的整体结构示意图。图2为本创作发光二极体单元第一实施例的剖面图。图3为本创作发光二极体单元第一实施例的凹凸结构的剖面放大图。图4为本创作发光二极体单元第二实施例的剖面图。图5为本创作发光二极体单元第三实施例的剖面图。