发明名称 |
湿式ウエハバックコンタクトを使用したシリコンビアを通した銅メッキのための方法 |
摘要 |
基板を処理する方法及び装置が提供される。いくつかの実施形態では、方法は、露出したシリコンコンタクト表面が開孔底部に設けられた開孔を有するシリコン基板を提供することと、露出したシリコンコンタクト表面上に金属シード層を堆積することと、金属シード層上に金属層を形成するために、電流を基板の裏側に流すことによって、基板に電気メッキ処理を施すこととを含む。【選択図】図2 |
申请公布号 |
JP2016526784(A) |
申请公布日期 |
2016.09.05 |
申请号 |
JP20160519522 |
申请日期 |
2014.05.27 |
申请人 |
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドAPPLIED MATERIALS,INCORPORATED |
发明人 |
ゴウク, ローマン;ヴァーハーヴァーベーケ, スティーヴン |
分类号 |
H01L21/3205;H01L21/288;H01L21/768;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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