| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其系具有排列成矩阵状之复数像素,与施加使上述像素之光透过率或光反射率变化之电压信号波形之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,液晶分子为可扭动回转之液晶组成物层,与至少一方为透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间每各像素,至少备有一对像素电极与相向电极,包含与发生于上述像素电极与上述相向电极间之上述第1基板面平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量之上述液晶显示装置,其特征为:上述液晶组成物之介电各向异性,上述液晶组成物层之实质厚度deff,上述像素电极之短向电极宽度Wp,上述相向电极短边之电极宽度Wc,及上述像素电极与上述相向电极间之间隔L为能够满足下列条件;>0,2.8m≦deff≦4.5m,并且,1.2deff≦Wp≦L/1.2,1.2deff≦Wc≦L/1.2。2.一种液晶显示装置,其系具有排列成矩阵状之复数像素,与施加使上述像素之光透过率或光反射率变化之电压信号波形之液晶显示装置,其特征为;在上述液晶显示装置,液晶分子为可扭转回转之液晶组成物层,与至少一方为透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间每各像素,至少备有一对像素电极与相向电极,包含与发生于上述像素电极与上述相向电极晶之上述第1基板面平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量之上述液晶显示装置,上述液晶组成物之介电各向异性,上述液晶组成物层之实质厚度deff,上述像素电极短向之电极宽度Wp,上述相向电极短边之电极宽度Wc,及上述像素电极与上述相向电极间之间隔L为能够满足下列条件;>0,4.2m≦deff≦8.0m,并且,1.2deff≦Wp≦L/1.2,1.2deff≦Wc≦L/1.2。3.一种液晶显示装置,其系具有配置成矩阵状之复数像素,与施加使上述像素之光透过率或光反射率之电压信号波形手段之液晶显示装置,其特征为;在上述液晶显示装置系备有;液晶分子为可扭转回转之液晶组成物层,与至少一方系透明面夹持上液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依每个像素,至少具有一对像素电极与相向电极,而由包含与发生于上述像素电极与上述相向电极间之上述第1基板面成平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,在上述第2基板与上述液晶组成物层侧之面备有黑底遮蔽矩阵,上述黑底遮蔽矩阵系由绝缘材料所形成。4.一种液晶显示装置,其系配置成矩阵状之复数像素,与具有施加使上述像素之光透过率或光反射率发生变化之电压信号波形手段之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,系液晶分子为可扭动回转之液晶组成物层,与至少一方系透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有至少一对像素电极与相向电极,由与包含上述像素电极与上述相向电极间所发生之上述第1基板面平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有映像信号线,与信线电极,与换接元件,将映像信号线经由上述映像信号线与上述信号电极与上述换接元件施加于上述像素电极之上述液晶显示装置,其特征为;施加于邻接像素之各个相向电极系位于映像信号线之两侧位置,并且,各个相向电极短向之电极宽度为设定成上述映像信号线之短向宽度之1/2以上。5.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中,相向电极为由可阳极化成之金属所构成,此金属之自行阳极化成膜为包覆相向电极上。6.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,相向电极为由铝所形成。7.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,相向电极系其表面为由阳极化成之金属层所形成之闸信号线同时形成。8.一种液晶显示装置,其系配置成矩阵状之复数像素,与具有施加使上述像素之光透过率或光反射率发生变化之电压信号波形手段之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,系液晶分子为可扭动回动之液晶组成物层,与至少一方系透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有至少一个像素电极与相向电极,由与包含上述像素电极与上述相向电极间所发生之上述第1基板面成平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有映像信号线,与漏极,与闸信号线,与闸电极,与相向电压信号线,与薄膜电晶体元件,将闸信号经由上述闸信号线与上述漏极与上述薄膜电晶体元件施加于上述像素电极,将相向电压信号经由上述相向信号线施加于上述相向电极之液晶显示装置,其特征为;上述闸信号线系其表面系由经阳极化成之金属层所形成,同时,相向电压信号线系由与此闸信号线之同一材料层所形成。9.如申请专利范围第8项之液晶显示装置,其中,相向电压信号线系由铝所形成。10.如申请专利范围第8项之液晶显示装置,其中,将相向电压信号线与闸信号线由同一制程所形成。11.一种液晶显示装置,其系配置成矩阵状之复数像素,与具有施加使上述像素之光透过率或光反射率发生变化之电压信号波形手段之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,系液晶分子为可扭动回转之液晶组成物层,与至少一方系透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有至少一对像素电极与相向电极,由与包含上述像素电极与上述相向电极间所发生之上述第1基板面成平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有映像信号线,与漏极,与闸信号线,与闸电极,与相向电压信号线,与薄膜电晶体元件,与在上述相向电压信号线上之一部分经由层间绝缘膜上述像素电极之一部分为被重叠所形成之电容元件,将闸信号经由上述闸信号线施加于上述闸电极,将映像信号经由上述映像信号线与上述漏极与上述薄膜电晶体元件施加于上述像素电极,将相向电压信号经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极,将相向电压信号经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极之液晶显示装置,其特征为;上述相向电压信号线有系其表面由被阳极化成之铝所形成。12.一种液晶显示装置,其系配置成矩阵状之复数像素,与具有施加使上述像素之光透过率或光反射率发生变化之电压信号波形手段之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,系液晶分子为可扭动回转之液晶组成物层,与至少一方系透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有至少一对像素电极与相向电极,由与包含上述像素电极与上述相向电极间所发生之上述第1基板面成平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有映像信号线,与漏极,与闸信号线,与闸电极,与相向电压信号线,与薄膜电晶体元件,与在上述相向电压信号线上之一部分经由层间绝缘膜上述像素电极之一部分为被重叠所形成之电容元件,将闸信号经由上述闸信号线施加于上述闸电极,将映像信号经由上述映像信号线与上述漏极与上述薄膜电晶体元件施加于上述像素电极,将相向电压信号线经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极,将相向电压信号经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极之液晶显示装置,其特征为;备有将上述复数像素之相向电压信号线共通地连接之共通滙流排线,同时,此共通滙流排线系成为2层以上之导电层之叠层构造所形成。13.如申请专利范围第12项之液晶显示装置,其中,共通滙流排线系由与闸电极同材料之导电层及与上述映像信号线同材料之导电层所成,此等各导电层系分别形成闸电极时及形成映像信号线时系同时形成。14.一种液晶显示装置,其系配置成矩阵状之复数像素,与具有施加使上述像素之光透过率或光反射率发生变化之电压信号波形手段之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,系液晶分子为可扭动回转之液晶组成物层,与至少一方系透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有至少一对像素电极与相向电极,由与包含上述像素电极与上述相向电极间所发生之上述第1基板面成平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有映像信号线,与漏极,与闸信号线,与闸电极,与相向电压信号线,与薄膜电晶体元件,与在上述相向电压信号线上之一部分经由层间绝缘膜上述像素电极之一部分为被重叠所形成之电容元件,将闸信号经由上述闸信号线施加于上述闸电极,将映像信号经由上述映像信号线与上述漏极与上述薄膜电晶体元件施加于上述像素电极,将相向电压信号经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极,将相向电压信号经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极之液晶显示装置,其特征为;将连接于上述闸电极之闸信号线与连接于上述相向电极之相向电压信号线,配置于配置成矩阵状之复数像素之第第1方向,同时,将连接于上述漏极之映像信号线配置于第2方向时,由连续于上述第2方向之2像素共用上述相向电压信号线。15.如申请专利范围第14项之液晶显示装置,其中,连续于上述第2方向之2像素之闸电极与闸信号线及将上述薄膜电晶体元件互相成相向配置,由上述2像素共用上述漏极,并且,从上述漏极到上述映像信号线之配线配置于互相相向之闸信号线间所成。16.如申请专利范围第15项之液晶显示装置,其中,在1像素内将复数薄膜电晶体连接于上述像素电极,而沿着上述闸信号线形成而成。17.一种液晶显示装置,其系配置成矩阵状之复数像素,与具有施加使上述像素之光透过率或光反射率发生变化之电压信号波形手段之液晶显示装置,在上述液晶显示装置,系液晶分子为可扭动回转之液晶组成物层,与至少一方系透明而夹持上述液晶组成物层之第1基板与第2基板,与至少一个偏光手段,与在上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有至少一对像素电极与相向电极,由与包含上述像素电极与上述相向电极间所发生之上述第1基板面成平行成分之电场来控制上述液晶组成物之液晶分子之扭动量,上述第1基板面与上述液晶组成物层面之间依各像素,备有映像信号线,与漏极,与闸信号线,与闸电极,与相向电压信号线,与薄膜电晶体元件,与在上述相向电压信号线上之一部分经由层间绝缘膜上述像素电极之一部分为被重叠所形成之电容元件,将闸信号经由上述闸信号线施加于上述闸电极,将映像信号经由上述映像信号线与上述漏极与上述薄膜电晶体元件施加于上述像素电极,将相向电压信号线经由上相向电压信号线施加于上述相向电极,将相向电压信号经由上述相向电压信号线施加于上述相向电极之液晶显示装置,其特征为:将上述相向电压信号线两侧之终端部由共通滙流排线连接,并且,连接于共通电压发生驱动手段。18.如申请专利范围第17项之液晶显示装置,其中,在上述一方基板上之非显示领域,具有与上述共通滙流排线同材质,同膜厚之膜厚测定用图样。19.如申请专利范围第17项或第18项之液晶显示装置,其中,于上述共通滙流排线,与上述闸信号线或映像信号线之交叉部,及,于上述共通滙流排线与相向电压信号线之连接部以上之非交叉部,在上述共通滙流排线上部或下部,具有与闸电极同材质,同膜厚之膜厚调整层。20.如申请专利范围第17项或第18项之液晶显示装置,其中,上述共通滙流排线,与上述闸信号线或映像信号线之交叉部,及,于上述共通滙流排线与相向电压信号线之连接部缘外之非交叉部,在上述共通滙流排线上部或下部,具有与漏极同材质,同膜厚之膜厚调整层。图式简单说明:第一图A-第一图D系说明适用本发明之液晶显示元件动作之1像素份量之模式图,第一图A系没有施加电压时之剖面图,第一图B系施加电压时之剖面图,第一图C系没有施加电压时之平面图,第一图D系施加电压时之平面图。第二图系表示实施例1之主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶显示部之一像素与其周边之要部平面图。第三图系表示实施例1之黑底遮蔽矩阵图样一例之图。第四图系表示实施例2之主动黑底遮蔽矩阵彩色液晶显示装置之液晶显示部之一像素与其周边之要部平面图。第五图系排列实施例1之像素所形成之液晶显示板之复数像素份量之平面图。第六图系实施例1之连续于列方向之连续2像素之电气性等値电路。第七图系第二图之3-3切断线之像素剖面图。第八图系第二图之4-4切断线之薄膜电晶体元件TFT之剖面图。第九图系第二图之5-5切断线之薄膜电晶体元件TFT之剖面图。第十图系用来说明第二图之5-5切断线之储存电容Cstg之剖面图。第十一图系表示左侧之闸信号端子,在右侧表示没有外部连接端子之显示板缘部分之剖面图。第十二图A,第十二图B系表示闸端子GTM配线GL之连接部附近之平面与剖面图。第十三图A,第十三图B系表示漏极端子DTM与映像信号线DL之连接部附近之平面与剖面图。第十四图A,第十四图B系表示共通电极端子CTM,共通滙流排线CB及共通电压信号线CL之连接部附近之平面与剖面图。第十五图系表示基板SUB1侧之制程STEP A-C制程之像素部与闸端子部之剖面图之流程图。第十六图系表示基板SUB1侧之制程STEP D-F制程之像素部与闸端子部之剖面图之流程图。第十七图系表示基板SUB1侧之制程STEP G-H制程之像素部与闸端子部之剖面图之流程图。第十八图系表示施加电场方向,摩擦方向,偏光板透过轴之关系之图。第十九图系本发明之主动矩阵型彩色液晶显示装置之矩阵部与包含其周边之电路图之一例。第二十图系表示本发明之主动矩阵彩色液晶显示装置之驱动波一例之图。第二十一图系表示安装液晶显示板周边之驱动电路之状态之上视图。第二十二图系表示构成驱动电路之积体电路晶片CH1装设于挠性配线基板之带载封装体(tape carrierpackage)TPC之剖面构造之图。第二十三图系表示将带载封装体TPC连接于液晶显示板PNL之闸信号电路用端子GTM状态之要部剖面图。第二十四图系液晶显示模组之分解斜视图。第二十五图系表示于第十九图所示液晶显示装置而施加于相向电极CT之驱动电压之传送路径之等値电路之电路图。第二十六图系表示第二十五图所示各点之驱动电压波形之特性图。第二十七图系表示实施例之液晶显示装置之概略构成之方块图。第二十八图系于实施例3之液晶显示装置,施加于相向电极CT之驱动电压之传送路径等値电路之电路图。第二十九图系表示第二十八图所示各点之驱动电压波形之特性图。第三十图A-第三十图B系于第二十七图所示矩阵基板之A点相向电压信号线CL与共通滙流排线C之连接部之一例之平面图及剖面图。第三十一图A,第三十一图B系于第二十七图所示矩阵基板之B点之相向电压信号线CL与共通滙流排线CB连接部之平面图及剖面图。第三十二图A,第三十二图B系于第二十七图所示矩阵基板之C点之映像信号线DL与共通滙流排线CB交叉部之平面图及剖面图。第三十三图A-第三十三图C系于第二十七图所示矩阵基板之A点之相向电压信号线CL与共通滙流排线CB连接部之其他例之平面图及剖面图。第三十四图系表示于实施例3之共通滙流排线CB之其他配置例之平面图。第三十五图系表示于实施例3之共通滙流排线CB之其他配置例之平面图。第三十六图A-第三十六图C系表示实施例4之液晶显示装置,于第二十七图所示相当于矩阵基板之A点之相向电压信号线CL与共通滙流排线CB连接部之平面图及剖面图。第三十七图A,第三十七图B系表示实施例4之液晶显示装置,于第二十七图所示矩阵基板相当于B点之点之相向电压信号线CL与共通滙流排线CB连接部之平面图及剖面图。第三十八图A,第三十八图B系于实施例4之液晶显示装置,在第二十七图所示相当于矩阵基板C之点之映像信号线DL与共通滙流排线CB交叉部之平面部及剖面图。第三十九图系表示于实施例4之共通滙流排线CB之其他配置例之平面图。 |
