发明名称 | 光电转换元件之P型掺杂层及其制造方法 | ||
摘要 | 一种光电转换元件之P型掺杂层,为一双层结构,包括成核层及形成于成核层上的宽能隙层。上述双层结构的P型掺杂层具有高的导电率及良好的光电效能。 | ||
申请公布号 | TW200926425 | 申请公布日期 | 2009.06.16 |
申请号 | TW096147660 | 申请日期 | 2007.12.13 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 黄志仁 |
分类号 | H01L31/042(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |