发明名称 光电转换元件之P型掺杂层及其制造方法
摘要 一种光电转换元件之P型掺杂层,为一双层结构,包括成核层及形成于成核层上的宽能隙层。上述双层结构的P型掺杂层具有高的导电率及良好的光电效能。
申请公布号 TW200926425 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW096147660 申请日期 2007.12.13
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 黄志仁
分类号 H01L31/042(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号
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