半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，在形成在第一绝缘膜104上的基板表面部分103中形成通到第一绝缘膜104的元件隔离用沟106以后，利用气相沉积法在元件隔离用沟106上沉积第二绝缘膜107。结果，彻底抑制了在SOI基板上形成沟槽型元件隔离结构时，由于作用在沟槽角等上的应力而引起的、出现在在元件形成区域的那一部分半导体层上的结晶缺陷。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：在第一绝缘膜上形成半导体层的步骤；在所述半导体层的表面形成LOCOS隔离的步骤；在所述半导体层形成到达所述第一绝缘膜的元件隔离用沟的步骤；通过氧化所述元件隔离用沟的壁面的所述半导体层来形成氧化膜的步骤；利用气相生长法在上述元件隔离用沟形成第二绝缘膜，而部分地掩埋所述元件隔离用沟同时覆盖所述氧化膜的步骤；以及在所述第二绝缘膜上形成掩埋层，以将所述元件隔离用沟完全覆盖起来的步骤；所述形成元件隔离用沟的步骤，包括：通过形成一对元件隔离用沟来形成元件形成区域和所述元件形成区域以外的其它区域的步骤。