对一主动侧壁相变化记忆体细胞改善热绝缘的结构及方法

摘要

一种有着改善热绝缘之记忆体元件。此元件包含一电极堆叠，包括第一电极和第二电极元件，大致上是平坦的，藉由一侧壁子元件隔离且有着互些接触，其中该电极堆叠包括一侧表面；一相变化元件，有着一底表面与该电极堆叠侧表面接触，包括与该第一电极和该第二电极元件作电性接触；以及介电填充材料，环绕并覆盖该记忆体元件，其中该介电填充材料与该相变化元件分离，导致该介电填充材料与该相变化元件定义一邻近于该相变化元件之洞穴，且其中该洞穴系容纳一低气压环境。