| 摘要 |
ゲート配線と基板間の寄生容量を低減し、柱状シリコン層上部のコンタクトを形成せず、金属配線と柱状シリコン層上部を直接接続するＳＧＴの製造方法とＳＧＴの構造を提供することを課題とする。シリコン基板上に形成したフィン状シリコン層の上部に柱状シリコン層を形成し、その周囲にゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成し、前記柱状シリコン層の上部に形成された第１の拡散層と、前記柱状シリコン層の下部と前記フィン状シリコン層の上部に第２の拡散層を形成し、前記第１の拡散層上と前記第２の拡散層上に第１のシリサイドと第２のシリサイドを形成し、層間絶縁膜を堆積し、前記層間絶縁膜を平坦化し、エッチバックを行い、前記柱状シリコン層上部を露出した後、第２のシリサイド上に第１のコンタクトを形成し、前記第１のシリサイド及び前記第１のコンタクトにそれぞれ接続する金属配線を形成する半導体装置の製造方法により、上記課題を解決する。 |
