| 主权项 |
1﹒一种用以制造用于半导体装置之混合氧化物之方法,包括下述步骤,(a)将一矽晶片置于炉内,炉温为800℃和1200℃之间,能在无乱流状况下通入氧气和氢气于炉内;(b)形成一高温氧化物层;(c)关掉该氢气流并形成一乾燥氧化物层。2﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中使该高温氧化物层形成至少5分钟。3﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中使该乾燥氧化物层形成至少5分钟。4﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中于该高温氧化物之形成步骤时,氧气对氢气而言为过量,致使5%至95%间之通入之氧气未与氢气化合。5﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中该矽晶片具有N型导电性。6﹒根据上述请求专利部份第5项之方法,其中该晶体之表面实质上与(100)结晶平面平行。7﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中使该高温氧化物层形成25分钟至50分钟。8﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中使该乾燥氧化物层形成25分钟至50分钟。9﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,其中该炉内温度为850℃与100℃之间。10﹒根据上述请求专利部份第1项之方法,尚包括于乾燥氧化物形成后自炉内取出晶片,并于室 气中冷至大约20℃之步骤。 |
