| 主权项 |
1.一记忆器行列,包含:(a)多値记忆单胞,排成列及行;(b)每一列各有一数元线;(c)每一行各有一字码线;(d)每一记忆单胞包含一记忆单胞电晶体及一记亿单胞电容器,二者串联接至一数元线,同行中之各记忆单胞电晶体之闸极连接至一公共字码线;(e)一包含一参考单胞电容器及一参考单胞电晶体之行系串联于每一列中,并连接至对应列之数元线;(f)在(e)中之该行之一参考字码线连接至各参考单胞电晶体之闸极;(g)一行包含一感测放大器于每一列中,每一列有设置用于交连感测放大器之输入端至对应列之数元线上;及(f)用于将数元线接至一电压供应线或自其断开之装置。以预充电数元线至一直流电位。其特点为该记忆器行列另包含:(l)每一列有一场板线,每一列之记忆单胞及参考单胞各交运于该列之数元线及场板线之间,记忆单胞电容器系交连至场板线,而参考单胞电容器系交连至数元线;(J)用于交连感测放大器之另一输入端至场板线之装置;及(K)用于连接及不连接场板线至一电压供应线之装置,俾将之与数元线同时预充电至相同直流电位。2.根据上述请求专利部份第1项所述之记忆器行列,且另含有装置,用于交连各参考单胞电容器及参考单胞电晶体之公共节点至一参考电位。3.根据上述请求专利部份第2项所述之记忆器行列,其中,该参考电位交连装置包含一公共地线,一场效电晶体连接于该公共地线及该等公共节点之间,及一参考单胞预置线将该等场效电晶体之闸极连在一起。4.根据上述请求专利部份第1项所述之记忆器行列,其中,在(g)及(j)中之该感测放大器交连装置在每一列中包含一第一场效电晶体连接于该场板线及该一输入节点之间,及一第二场效电晶体在每一列中连接于该数元线及该另一输入节点之间,一场板中断线连接所有各列中之第一场效电晶体之闸极一起;及一数元线中断线连接所有各列中之第二场效电晶体之闸极一起。5.根据上述请求专利部份第1项所述记忆器行列,其中,在(h)及(k)中之装置包含一电源供应轨,在每一列中之第一预充电电晶体连接于该电源供应轨及对应之场板线间,及在每一列中之一第二预充电电晶体连接于该电源供应轨及对应之数元线间,及一预充电线连接该等第一及第二预充电晶体之闸极一起。6.根据上述请求专利部份第1项所述之记忆器行列,其中,该参考单胞电容器之电容値为该记忆单胞电容器电容値之1/2。 |
