发明名称 在牺牲光吸收材质中调整蚀刻率之方法
摘要 本发明描述用于藉由改变一牺牲光吸收材质(SLAM)之组份来调整其蚀刻率以使得其匹配周围介电之蚀刻率之数项技术。此在双金属镶嵌处理中是特别有用的,其中该SLAM填充一通路开口且随同周围介电材质一起被蚀刻,以形成覆于该通路开口之上的渠沟。
申请公布号 TW200518218 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093125183 申请日期 2004.08.20
申请人 英特尔公司 发明人 麦可D 古南;罗伯特P 梅格利;凯文P 欧布里恩
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国