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发明名称
在牺牲光吸收材质中调整蚀刻率之方法
摘要
本发明描述用于藉由改变一牺牲光吸收材质(SLAM)之组份来调整其蚀刻率以使得其匹配周围介电之蚀刻率之数项技术。此在双金属镶嵌处理中是特别有用的,其中该SLAM填充一通路开口且随同周围介电材质一起被蚀刻,以形成覆于该通路开口之上的渠沟。
申请公布号
TW200518218
申请公布日期
2005.06.01
申请号
TW093125183
申请日期
2004.08.20
申请人
英特尔公司
发明人
麦可D 古南;罗伯特P 梅格利;凯文P 欧布里恩
分类号
H01L21/3065
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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