用于增进通道载子移动性之具有高应力衬料之基于Si-Ge的半导体装置SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON Si-Ge WITH HIGH STRESS LINER FOR ENHANCED CHANNEL CARRIER MOBILITY

摘要

藉由采用应力衬料增加在Si–Ge装置之电晶体通道区内之载子移动性，于实施例中包括在松弛源极／汲极区上运用高压缩或拉伸应力膜，并且在其他实施例中包括于移除矽化物间隔件后，在P–通道或N–通道电晶体之闸极电极(72)与应变矽源极／汲极区(71)之上方，各别地运用高压缩(90)或高拉伸应力膜(120)。