| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI CONDENSATORI PER CELLE DI MEMORIADEL TIPO DRAM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1241526(B) |
申请公布日期 |
1994.01.17 |
| 申请号 |
IT19900048192 |
申请日期 |
1990.07.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
CHOI JIN-SUK;SON KYOUNG-HA;AHN YOUNG-CHUL |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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