| 主权项 |
1. 一种用于制造具有预定长度之悬浮闸极之半导体记忆胞的方法,包括如下之步骤:(a) 长一薄氧化层在一半导体基体上;(b) 沉积一复晶矽层在该薄氧化层上;(c) 沉积一氮化矽层在该复晶矽层上;(d) 罩遮及蚀刻该氮化矽层到该复晶矽层俾可形成一氧化物容纳凹槽在该氮化矽层中,该氧化物容纳凹槽具有一与该将被形成之悬浮闸极之横向轴平行的横向轴而且系比该将被形成之悬浮闸极的预定宽度长,该氧化物容纳凹槽与将被定义在该复晶矽层上的悬浮闸极区部份;(e) 长一复晶矽氧化层在该氧化物容纳凸槽中;(f) 移去该氮化矽层;(g) 提供一个光罩,该光罩系横向于该复晶矽氧化层而且具有一个与该将被形成之悬浮闸极之预定宽度相等的宽度,该光罩覆盖该复晶矽氧化层之直接在该悬浮闸极区上的部份;(h) 蚀刻该复晶矽氧化层之没有被该光罩覆盖的剩余部份;(i) 移去该光罩;及(j) 以该复晶矽氧化层之该部份作为一罩遮来蚀刻该复晶矽层俾可形成该悬浮闸极。2. 一种用于制造具有预定长度之悬浮闸极及具有由一通道隔开之源和汲极区之可抹除非挥发性记忆胞的方法,该方法包括如下之步骤:(A) 长一薄氧化层在一半导体基体上;(B) 沉积一第一复晶矽层在该薄氧化层上;(C) 沉积一氮化矽层在该第一复晶矽层上;(D) 罩遮及蚀刻该氮化矽层到该第一复晶矽层俾可形成一氧化物容纳凹槽在该氮化矽层中,该氧化物容纳凹槽具有一与该将被形成之悬浮闸极之横向轴平行的横向轴而且系比该将被形成之悬浮闸极的预定宽度长,该氧化物容纳凹槽与将被定义在该第一复晶矽层上的悬浮闸极区部份;(E) 长一复晶矽氧化层在该氧化物容纳凹槽中;(F) 移去该氮化矽层;(G) 提供一个光罩,该光罩系横向于该复晶矽氧化层而且具有一个与该将被形成之悬浮闸极之预定宽度相等的宽度,该光罩覆盖该复晶矽氧化层之直接在该悬浮闸极区上的部份;(H) 蚀刻该复晶矽氧化层之没有被该光罩覆盖的剩余部份;(I) 移去该光罩;(J) 以该复晶矽氧化层之该部份作为一罩遮来蚀刻该第一复晶矽层俾可形成该悬浮闸极;(K) 长一闸极氧化层在该悬浮闸极上;(L) 沉积一第二复晶层在该闸极氧化层上;(M) 罩遮及蚀刻该第二复晶矽层来定义一个具有一与该悬浮闸极之横向轴平行之横向轴的控制闸极,该控制闸极更具有一个被定位于在纵向轴方向上,部份重叠于悬浮闸极,而且在控制闸极与悬浮闸极之间长有闸极氧化层;及(N) 植入杂质在该汲和源极区中。图示简单说明:第一、二、三A、三B、四及五图描绘用于制造具有预定长度之悬浮闸极及具有源和汲极区之习知分离闸极型EPROM之习知方法的步骤;第六图系显示由该习知方法制成之习知分离闸极型EPROM沿着一条与该悬浮闸极之横向轴平行之线的剖面图;第七、八、九A、九B、九C、十、十一及十二图描绘本发明之一种用于制造具有预定长度之悬浮闸极及源和汲极区之半导体记忆胞之方法的步骤;第十三图系显示由本发明之方法制成之半导体记忆胞沿着一条与该悬浮闸极之横向轴平行之线的剖面图;及第十四图系显示由本发明之方法制成之半导体记忆胞的顶 |
