| 主权项 |
1.一种堆叠式动态随机存取记忆体(DRAM)的制造方法,系包括:在矽半导体晶圆上形成场效电晶体与字语线,所述场效电晶体含有闸氧化层、闸极与源极/汲极;形成第一介电层;利用微影技术和蚀刻技术蚀去所述第一介电层,以露出所述源极,以形成记忆元接触窗(cell contact);形成第一复晶矽层;利用微影技术和蚀刻技术蚀去「电容器区域」以外之所述第一复晶矽层以形成电容器之下层电极;形成一层电容器介电层、第二复晶矽层和第二介电层;利用微影技术和蚀刻技术蚀去「位元线接触窗区域」之所述第二介电层、第二复晶矽层和电容器介电层,以露出所述「第二复晶矽层」的侧面;热氧化露出之所述「第二复晶矽层」的侧面以形成复晶氧化矽(poly-oxide);用蚀刻技术蚀去所述汲极表面之所述「第一介电层」以露出汲极,以形成「位元线接触窗」;形成位元线。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第一介电层是由二氧化矽组成,其厚度介于800埃到1500埃之间。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第二介电层是由二氧化矽组成,其厚度介于3000埃到8000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第一复晶矽层是由低压化学气相沈积法形成,其厚度介于3000埃到8000埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第二复晶矽层是由低压化学气相沈积法形成,其厚度介于1000埃到2000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述电容器介电层是由氧化氮化矽、氮化矽和二氧化矽所组成,或由Ta2O5所组成。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述蚀刻,是指磁场增强式活性离子式电浆蚀刻技术(MagneticEnhanced Reactive Ion Etching; MERIE)或电子回旋共振电浆蚀刻技术(Electron Cyclotron Resonance; ECR)或传统的活性离子式电浆蚀刻技术(Reactive IonEtching; RIE)等电浆蚀刻技术。图示简单说明:图一到图十四是本发明之实施例(Embodiment)的制程剖面示意图。图一是在矽半导体晶圆上形成金氧半场效电晶体后的制程剖面示意图;图二是形成一层第一介电层后的制程剖面示意图;图三是利用微影技术与电浆蚀刻技术在电容器区域蚀去所述第一介电层以露出所述源极,以形成「记忆元接触窗」后的制程剖面示意图;图四是形成一层搀杂的第一复晶矽层后的制程剖面示意图;图五是利用微影技术和电浆蚀刻技术蚀去所述「电容器区域」以外之所述搀杂的第一复晶矽层,以形成电容器之下层电极后的制程剖面示意图;图六是形成一层电容器介电层后的制程剖面示意图;图七是形成一层「搀杂的第二复晶矽层」后的制程剖面示意图;图八是形成一层第二介电层后的制程剖面示意图;图九是形成光阻图案后的制程剖面示意图,所述「光阻图案」露出「位元线接触窗区域」之所述「第二介电层」;图十是利用微影技术和电浆蚀刻技术蚀去「位元线接触窗区域」之所述第二介电层、搀杂的第二复晶矽层和电容器介电层,以露出所述「搀杂的第二复晶矽层」的侧面后的制程剖面示意图,所述电浆蚀刻终止于所述「第二介电层」;图十一是去除所述「光阻图案」后的制程剖面示意图;图十二是热氧化露出之「搀杂的第二复晶矽层」的侧面,以在所述「搀杂的第二复晶矽层」的侧面形成「复晶氧化矽」后的制程剖面示意图;图十三是利用电浆蚀刻技术蚀去汲极表面之所述「第一介电层」以露出汲极后的制程剖面示意图;图十四是形成位元线后的制程剖面示意图。 |
