| 主权项 |
1﹒一种用以至少连续淀积一层无定形半导体物料 某 一个含有一个表面的基底上之系统,该系统包括 :(a)有一种设置为将该基底推进而通过该系 统;(b)有一种设置为在该基底推进而通过该 系统时,由某一种等电游离气将无定形半导体物 料淀积于该基底之上,该设置至少包括一个含有 一个入口及一个出口为让该基底通过其间的辉光 放电腔室;(c)有一种设置为控制该无定形物 料的淀积作用,因而使该物料能够均匀地淀积于 该基底之上;又(d)控制该无定形物料淀积作 用的该设置包括一种机械装置为在该基底的表面 处供给一种大体均匀的气体。 2﹒如专利请求1项的系统,其中推进上述基底的设 置包括:(a)一个进给卷轴;(b)一个拾取 卷轴;(c)有一种设置为转动该拾取卷轴;以 及(d)该基底成为一卷物料而在该拾取卷轴转 动时能够由上述进给卷轴卷出而卷到该拾取卷轴 上面,因而该基底能够推进而通过该系统。 3﹒如专利请求2项的系统,其中上述推进基底的设 置另外有一些特征:(a)至少有一个位于上述 进给卷轴及上述拾取卷轴中间的卷轴;(b)有 一个驱动设置衔接该卷轴;以及(c)有一个控 制设置衔接该驱动设置为调节上述基底在推进通 过该系统时在基底上面的张力。 4﹒如专利请求3项的系统,其中另外包括一种设置 为罩覆着上述基底。 5﹒如专利请求1项或专利请求4项的机械装置,其 中另外包括:(a)一个反应气体的源头;(b )有一个气体发送器与该源头衔接;(c)该发 送器与上述基底隔离,并且上面有一些洞孔靠近 该基底;(d)有一个真空环境;以及(e)有 一种设置使由上述源头到上述许多洞孔以及由该 许多洞孔到上述真空环境之处能够大体有均等的 气体流径长度。 6﹒如专利请求5项的机械装置,其中上述基气体发 送器为一个方位大体与上述基底平行并且朝向该 基底的平面状构件。 7﹒如专利请求6项的机械装置,其中上述造成均等 流经长度的设置至少包括 一个障板。 8﹒如专利请求7项的机械装置,其中上述的至少一 个障板能够在该障板与上述平面状构件之间至少 形成一个腔室。 9﹒如专利请求8项的机械装置,其中上述平面状构 件包括某第一组洞孔为让气体进入该构件与上述 基底所围成的区域内,并且有第二组洞孔为由该 区域中抽出气体。 10﹒如专利请求9项的机械装置,其中另外包括:( a)一个源头;(b)该电源结合于上述平面状 构件,为将某种预定的电位加给于该构件;以及 (c)上述第二组洞孔被电接地而将等电游离气 限制于上述区域之内。 11﹒如专利请求7项的机械装置,其中上述第二组洞 孔中的每一个洞孔都包含一个筛网。 12﹒一种阴极装置,该装置为提供一种大体均匀的 等 电游离气,此种游离气是在与该装置隔离的一个 基底表面之处至少由一种反应气体所产生,该阴 极装置包括:(a)有入口该置为结合于一个反 应气体的源头,该入口设置对上述表面做均匀的 分布为将一种均匀的反应气体流引向上述基底; 以及(b)有出口设置大体与上述入口设置在同 一平面上,为结合于一个真空环境,该出口设置 对上述表面做均匀的分布。 13﹒一种至少连续地淀积一层无定形半导体物料 于某 一个含有一个表面的基底上之系统,该系统包括 :(a)有一种设置为推进该基底使经过该系统 ;(b)有一种设置为在该基底推进通过该系统 时将无定形半导体物料由一种等电浮离气淀积于 该基底上,该设置至少包含二个有某一个入口及 其一个出口为让该基底通过其间的辉光放电腔室 ;以及(c)有一种设置为控制该无定形物料的 淀积作用,因此使该物料能够均匀地淀积于该基 底上。 14﹒如专利请求13项的系统,其中用以推进上述基 底的设置包括:(a)一个进给卷轴;(b)一 个拾取卷轴;(c)有一种设置为转动该拾取卷 轴;又(d)上述基底成一卷物料,该物料在该 拾取卷轴转动时能够由上述进给卷轴卷出而卷绕 到该拾取卷轴上面,因而能够推进该基底使通过 系统。 15﹒如专利请求14项的系统,其中上述用以推进上 述基底的设置另外有一些特征:(a)在上述进 给卷轴与上述拾取卷轴之间至少有一个卷轴;( b)有一个驱动设置衔接该卷轴;以及(c)有 一个控制设置衔接该驱动设置为在上述基底推进 通过该系统时调节该基底上的张力。 16﹒如专利请求15项的系统,其中另外包括一种设 置为罩覆着上述基底。 17﹒如专利请求16项的系统,其中另外有一些特征 : (a)该系统包括某第一,第二及第三个辉 光放电腔室;(b)该第一腔室能够淀积一层P 型无定形半导体物料;(c)该第二腔室能够淀 积一种本质的半导体物料之无定形层次;以及( d)该第三腔室则能够淀积一种N型半导体物料 的无定形层次,因而形成一种PIN半导体装置 。 18﹒一种机械装置,乃为对一个基底的表面供予大 体 均匀的气体,其中包括;(a)一个气体的源头 ;(b)一个气体发送器衔接于该源头;(c) 该发送器与上述基底隔离,上面并且有一些洞孔 靠近该基底:(d)有一个真空环境;以及(e )有一种设置为使得中上述源头到上述一些洞孔 以及由此等洞孔到上述真空环境处能够有均等的 气体流经长度。 19﹒如专利请求1项的机械装置,其中上述气体发送 器为一个方位大体平行于上述基底并且朝向该基 底的平面状构件。 20﹒如专利请求19项的机械装置,其中上述造成大 体均等流经长度的设置至少包括一个障板。 21﹒如专利请求20项的机械装置,其中上述的至少 一个障板能够在该障板与上述平面状构件之间至 少形成一个腔空。 |
