| 主权项 |
1.一种制造电气交互连接板的方法,包括:将一永久绝缘软片层施加在金属导体承载基体上,以一种预定的图型形式打孔于前述绝缘层,使低下的金属区暴露,及自前述暴露金属区镀上金属直到填满前述绝缘层的孔,以形成固态导体及层内通路。2.申请专利范围第1项中的程序,其中前述绝缘层是用可感光处理的物质制成的,而前述打孔前述绝缘层的步骤是利用感光处理前述绝缘层来完成的。3.申请专利范围第2项中的程序,其中前述绝缘物质是永久乾燥软片。4.申请专利范围第3项中的程序,其中前述乾燥软片是一种UV敏感性软片,当使用于前述基体时并未反应。5.申请专利范围第1项中的程序,其中于打孔前述绝缘层之前,前述绝缘层系覆盖以金属箔;而前述打孔前述绝缘层的步骤是首先打孔箔覆盖片,然后经前述箔覆盖片的孔洞来蚀刻前述绝缘层而完成的。6.申请专利范圈第1项中之程序,其中在将前述绝缘层施加到前述基体前,前述绝缘层覆盖着一箔片;而前述绝缘层施加到前述基体时是箔面向外,以及打孔前述绝缘层的前述步骤是以下述方式达成的:首先打孔前述箔片,然后蚀刻前述绝缘层的露出部份,向下直到位于基体上的底下金属箔区。7.申请专利范围第1项的程序,其中于施加前述绝缘片到前述基体之前,一可导电金属图型已界定在前述绝缘层的一面;而前述绝缘层施加到基体上时是以导电的图型侧向下邻接于前述基体表面。8.申请专利范围第7项中的程序,其中打孔前述绝缘层的步骤包括打孔前述绝缘层,以在其内形成向下到绝缘层所附带之导电图型及前述基体的金属区的孔洞。9.一种制造电气互相连接板的方法,包括准备一复合体,其一例具有可成型的绝缘软片覆盖,以及可成型可无电电镀之金属箔。在前述复合体上移去前述箔的一些部份以界定一导体图型。将前述复合体施加到先前存在的基体,导体图型面向下。移除前述软片的选定部份,形成空的孔暴露出前述覆盖导体图型的至少一部份底面作为触发电铰区,以及无电电镀而将空孔填满金属。10.申请专利范围第9项的方法,进一步包括重覆所列举的步骤以建立多个复合体为底的层片。11.申请尊利范围第9项的方法,其中前述绝缘软片是可感光处理的而前述软片的前述移除步骤是以感光处理前述软片而达成的。12.申请专利范围第11.项的方法,其中前述绝缘软片是未感光处理的PDF。13.申请专利范围第12.项的方法,其中前述金属为铜而前述PDF实际上是不具有铜黏着增进作用物,以避免腐蚀在前述无电电镀步骤中所使用的镀槽14.申请专利范围第13.项中的方法,其中前述复合体施加步骤包括在前述基体及前述复合体之间加入黏着层。15.申请专利范围第14.项的方法,其中前述黏着层是以可沿着前述软片部份移去而形成前述空孔之物质构成。16.申请专利范围第9.项的方法,其中前述箔移除步骤包括使用一种光阻以界定前述导体图型。17.申请专利范围第9项的方法,进一步包括首先准备一个基体,其具有金属导体暴露于基体表面上,以及在移除前述软片之选定部份步骤中,使全部前述覆盖箔图型的底面至少有些在基体表面之金属导体上的区域显露出来。18.申请专利范围第17.项之方法,其中前述施用步骤包括将前述复合体连结至具有一层黏着材料之基体。19.一个制造PWB复合体的方法,包括在一不反应的可感光处理的绝缘物质上施用一可导电的金属箔,以及以一种方法使金属箔成型,此方法中不反应绝缘物质为金属箔所保护。20.申请专利范围第19.项之方法,其中金属箔是藉由施加一个光阻到导体金属箔上,暴露于光化性辐射下。(其中金属箔保护不聚合的绝缘物质免于辐射),移除光阻及暴露金属箔以形成导体金属图型,并自其上移除残留的光阻而成型的。21.申请专利范围第1项的方法,进一步包括将绝缘物质成型金属箔复合体施加到基体上,同时其成型金属箔邻接着基体。22.一种制造电路板的方法包括准备一个复合体,此复合体由一个带有已成型的导电金属层的绝缘物质片构成,将前述复合体施加到一基座,并在复合体施加于基体上后成型前述绝缘物质片。23.申请专利范围第2项方法,其中前述绝缘物质是不反应的可感光处理物质,而成型前述绝缘物质片的步骤是以感光处理达成的。24.申请专利范围第2项的方法,进一步包括自底下基体上的铜区域起,经由已成型的绝缘物质而无电电镀的步骤。25.一种制造多层电路板的方法包括:(1)施加导电金属箔到绝缘基体上(2)成型于导体金属箔上,(3)施加一种可感光处理的绝缘物质至成型的金属箔,(4)成型于绝缘物质上以形成洞,由此暴露出底下已成型的金属箔,(5)经由前述孔洞而无电电镀暴露的导电性金属,直到前述绝缘物质表面,以及(6)施加另外的可感光处理绝缘物质层并予以成型,及无电电镀由绝缘物质的感光处理所暴露的导电金属,以形成垂直连接,(7)准备一个一面覆有可感光处理绝缘物质并且具有导电金属箔之复合体,其中箔被成型而形成一个导电金属电路,而纯缘物质由箔保护免于成型处理,(8)将复合体的成型金属电路面结合到基体上无电电镀成型的绝缘物质之顶层,(9)将复合体的绝缘物质予以成型,并无雷电镀暴露的导电金属以形成一水平面,以及(10)交替使用步骤6及步骤7到9以形成一多层电路板。26.申请专利范圈第25.项的方法,进一步包括自一群该类物质中选定绝缘物质,其可以导电金属溶液来无电电镀而不需外加触发区。Z7.申请专利范围第25.项的方法,进一步包括处理绝绿物质而形成触发区,以作接续使用一导电金属溶液来无电电镀之用。28.申请专利范围第25.项的方法,进一步包括:利用光阻成型导电金属箔,经一个模罩暴露光阻,并蚀刻光阻而暴露底下金属箔以形成电路图型。29.申请专利范板第25.项的方法,其中前述金属为铜,并在步骤(3)之前在图型箔上还包含有一层锡膜。30.申请专利范围第29.项的方法,其中结合步骤(8)是藉着在基体及复合体之间加入一种黏着软片层而达成的。31.申请专利范围第25.项的方法,进一步包括以雷射光束成型绝缘物质。32.一个制造多层PWB的方法包括在一个先前存在带有导体图型之基体上制造一箔覆盖绝缘层,在预定的层内连接图型中经箔覆盖形成窗,移去暴露于前述窗下的绝缘层部份而形成开口,此闹口由前述绝缘层向下到前述基体上前述底下导体图型之选定区,经由前述孔而自前述区电镀,并移除前述箔之选定区域以在前述PWB的上表面留下新的导体图型。33.申请专利范围第32项中的方法,进一步包括重覆其中的步骤以产生多个新的导体层,其经由各别的绝绿层而连接底下的层片。34.申请专利范国第32.项的方法,其中前述基体是电镀过的穿洞PWB。35.申请专利范围第32.项的方法,其中前述基体是两面电镀的穿洞PWB,而这些步骤是同时在前述基体的两面形成的。36.申请专利范围第32.项的方法,其中窗的造成步骤是使用光蚀刻前述箔来造成的。37.申请专利范围第32.项的方法,其中前述移除绝缘层部份的步骤是使用电浆蚀刻方法来达成的。38.申请专利范围第32.项的方法,其中前述绝缘层是用选自一群由热塑性或热固性树脂组成的物质来做成的。39.申请专利范围第32.项的方法,其中穿过前述绝缘层的前述开口具有面率(aspect of ratio)约2或更低。40.一种做成多层PWB的方法,包括提供一个两面覆盖箔片的绝缘核心层,以一个预定的层内连接图型,来在箔片的至少一面上形成窗,镂空暴露于前述窗之下的前述核心层的部份,以提供向下到底下另一面箔片的开孔,经由前述开口而自前述底下箔片.电镀,自前述核心约两面移去箔的选定区域,留下各别的导体图型。41.申请专利范围第40仍项之方法,其中进一步包括在形成于前述核心约两面的导体图型之顶部绝缘层上制造箔覆盖,以预定的各别层内连接图型来在箔覆盖上形成窗,镂空暴露于前述窗之下的前述绝缘层的部份以提供向下到底下导体图型区域的开孔,经由前述绝缘层而自前述区域开始电镀,自前述PWB的前述两面移去前述箔覆盖之指定区,留下各别的导体图型。42.申请专利范围第40.项方法,其中前述窗的形成步骤是利用光蚀刻做成。43.申请专利范围第40.项方法,其中前述移去绝缘层部份的步骤是出电浆蚀刻﹒做成。44.申请专利范围第41.项方法,其中前述绝缘核心层是由向度稳定物质做成而前述绝缘物质加于前述核心层之上是由一详包含热塑性或热固定树脂的物质选定构成。45.申请专利范围第41.项方法,其中前述绝缘核心物质是由Kapton做成而前述外加绝缘层是由铁弗龙做成。46.申请专利范围第1项之方法做成的一种PWB。47.申请专利范围第9项之方法做成的一种PWB。48.坤请专利范围第19.项之方法做成的一种PWB。49.申请专利范围第22.项之方法做成的一种PWB。50.申请专利范围第25.项之方法做成的一种PWB:51.申请专利范围第32.项之方法做成的一种PWB。52.申请专利范围第40.项之方法做成的一种PWB。53.申请专利范围第41.项之方法做成的一种PWB。54.一种多层PWB,具有藉由一种在包括隐藏通路的板上作完全外加处理而做成的导体。55.一种多层PWB,其中所有的层内连接均是由自底下金属区铵上的固体通路做成。56.一种多层PWB,具有由PDF做成的绝缘层,绝缘层具有通自底下前面层片上的金属区的孔洞,前述洞填满镀金属以形成固态导体及内层通路。57.一种PWB,包括一个双面维度稳定核心,具有互相连接的导体图型于两面,并至少有两个外层,各以上具有塑胶绝缘层的复合体形成,此塑胶绝缘层是由一种由热塑性或热固性树脂所组成的物质组中选出的物质所构成,外层并带有外导体图型,前述塑胶绝缘层具有孔,形成于前述核心上之底下导体圃型上之选定金烤区之上,前述孔充满固体金属,直满到前述绝缘层的外表面上之导体层。 |
