| 主权项 |
1.一种在一矽基底(1)上之加速度感测器,其中多晶矽之导电渗杂杆(2)挠性的固定在矽基底(1)上,且其上直接指向杆(2)之多晶矽之导电渗杂尖梢(3)是安排在杆(2)之下并密切邻近杆(2),以使在尖梢(3)和杆(2)间产生隧道效应,因此电极(4)是用于作用在杆(2)上之惯性之静电补偿。2.如申请专利范围第1项所述之加速度减测器,其中杆(2)位于由多晶矽层(5)所环绕的空腔内;且电极(4)形成在杆(2)上和在多晶矽层(5)上互相相对的安置。3.一种用以制造如申请专利范围第1项所述之加速度感测器之方法,其中在第一步骤中,多晶矽之第一层(6)是施加在具有结构渗杂之一矽基底(1)上,且具有不同材料之第二层(7)是施加于该多晶矽之第一层(6)上;在第二步骤中,该两层(6,7)乃予结构化,以使继续以下步骤;在第三步骤中,尖梢(3)在湿化学下蚀刻后仍保留第一层(6);在第四步骤中,一辅助层(8)和一平坦层(9)作广表面的施加;在第五步骤中,该辅助层(8)之平坦部份曝露出且结构化;在第六步骤中,一多晶矽层作广表面的施加且渗杂以制造一电极(4),而除了固定杆(2)外,移去该多晶矽层;及在第七步骤中,移去辅助层(8)。4.如申请专利范围第3项之方法用以制造如申请专利范围第2项所述之加速度感测器,其中在步骤7之前,另一辅助层(10)作广表面的施加且结构化,多晶矽层(5)于后施加于广表面,再渗杂以制造电极(4),且除了杆(2)之展开部份外皆被移除,且在第7步骤中,此另一辅助层(10)亦移除。图1和图2为本发明之感测器之一实施例之横断面图。图3至图8为在制造方法之各个步骤后,图2所示之 |
