| 主权项 |
1.一个藉由使用若干溶剂溶解在晶圆上之一些薄膜来产生液滴之处理光学分析半导体装置污染物用液滴的方法,其中包含将已溶解之液滴乾燥一段时间,用以制作一光学分析用样本的步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中乾燥步骤的施行是藉由使用温热空气之强制乾燥方式。3.如申请专利范围第1项之方法,其中乾燥步骤的施行是藉由使用吹出空气之强制乾燥方式。4.如申请专利范围第3项之方法,其中乾燥步骤的施行是藉由使吹出温热空气之强制乾燥方式。5.一个处理光学分析位在被用来做为制造半导体装置所需材料之去离子化水和化学物质中之污染物用液滴的方法,其中包含将液滴乾燥一段时间的步骤。6.如申请专利范围第5项之方法,其中乾燥步骤的施行是使用自然乾燥方式。7.一个在半导体装置制造过程中处理光学分析用样本的设备,该项设备包含:用于在加工作用室中装载/卸下晶圆,以及在乾燥处理位于晶圆上之液滴时,吸附着晶圆的晶圆握持机构;用于导引晶圆握持机构之装载/卸下位置和驱动吸附作用的导件;被固定于晶圆握持机构上之被用来驱动晶圆握持机构的驱动机构;用于将氮气导引至位于被固定在晶圆握持机构上之晶圆上之液滴的空气供应机构,以及用于依照所安装之程式来控制空气供应机构和驱动机构的控制机构。8.如申请专利范围第7项之设备,其中驱动机构包含一个与晶圆握持机构之负载结合成一个整体的活塞汽缸,以及用于控制从第一氮气供应来源经由一管路而被供应之氮气的液压压力。9.如申请专利范围第7项之设备,其中有一个用于加热从第二氮气供应来源所供应之氮气的加热机构,以及一个藉由开启/关闭阀门来控制加热机构将氮气加热的第一空气控制机构。10.如申请专利范围第6项之设备,其中有一个用于冷却从第三氮气供应来源所供应之氮气的冷却机构,以及一个藉由开启/关闭阀门来控制冷却机构将氮气加以冷却的第二空气控制机构。11.如申请专利范围第10项之设备,其中冷却机构被配置成将氮气冷却在冷却擦光氧化物蚀刻剂的温度下。12.一个用于控制在半导体装置制造过程中处理光学分析用样本之设备的方法,该项方法包含以下步骤:当电源被启动时,自动设定模式,依照模式来开启门户,而且将夹头驱动至门户已被开启的晶圆装载位置处。在晶圆被装载于夹头上之后关闭门户,将夹头驱动至加工位置处,而且吸附晶圆,藉由控制空气供应机构一段时间来供应温热空气至被吸附固定的晶圆上。在供应温热空气之后开启门户,而且将夹头驱动至卸下位置处,以及将门户和夹头设定于原先位置处。图式简单说明:第一图为表示在半导体装置制造过程中处理光学分析用液滴之传统式方法的流程图,第二图A到第二图C为依照传统式方法来处理在一晶圆上之液滴的横剖面视图,第三图为依照本项发明之在半导体装置制造过程中处理光学分析用液滴的流程图,第四图A到第四图D为依照本项发明来处理在一晶圆上之液滴的横剖面视图,第五图为一个表示依照本项发明来处理液滴之设备实施方案的横剖面视图,第六图为表示第五图之管路34的放大侧视图,第七图为表示第五图之平板60的正视图,第八图为表示在第五图中加热槽70内之管路构造的横剖面视图,第九图为表示一个用于驱动第五图之实施方案之系统的方块图,第十图为表示第九图之控制部份的详细位置视图,以及第十一图为表示依照本项发明之用于控制处理光学分析用液滴投备之方法的流程图。 |
