| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物的制造方法,适用于半导体积体电路制程,包括下列步骤:提供一矽基底,其上形成有复晶矽闸极和布植之源/汲极区,该复晶矽闸极的侧壁上并形成有侧壁氧化层;利用一具有准直管之金属溅镀机台,沉积一厚度均匀的金属层覆盖在上述各层表面上;进行一快速热处理,使得该金属层与该复晶矽闸极和该源/汲极区相接触部分反应形成一金属矽化物层,而其与该侧壁氧化层相接触部分则未反应;以及去除该金属层未反应之部份,完成该自行对准金属矽化物的制造。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层为钛金属层。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该钛金属层厚度是介于200A到1000A。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中蚀刻该金属层系使用硫酸与水与双氧水的混和物。5.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中蚀刻该金属层系使用NH4OH与水与双氧水的混和物。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该准直管乃是一种外观近似蜂巢,由许多六角管所组成的结构。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属溅镀机台乃使用直流式金属溅镀机。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属溅镀机台乃使用射频电源来产生电浆。图式简单说明:第一图a至第一图d是习知的自行对准金属矽化物制程之剖面示意图。第二图是典型溅镀机的反应室构造示意图。第三图是依照本发明一较佳实施例的一种具有准直管之溅镀机的反应室构造示意图。第四图a至第四图d是依照本发明一较佳实施例的一种自行对准金属矽化物制程之剖面示意图。 |
