发明名称 控制电力线分布之装置及方法(二)
摘要 本案为一种控制电力线分布之装置及方法,系应用于电铸制程上,其包含:一阳极件,其因应一电力施加而分解出一特定物质之一离子;一阴极件,设于该阳极件之一相对位置,俾接收该离子以于其上形成一特定物质堆积层,且在该阴极件周缘绕设一导电层;一电铸介质,存在于该阳极件与该阴极件间,以传递该离子而形成一电力线;以及一遮蔽装置,设于该阳极板与该阴极板之间,具有一开孔,可令该电力线穿过该开孔发射至该阴极板上。
申请公布号 TW499507 申请公布日期 2002.08.21
申请号 TW089125518 申请日期 2000.11.30
申请人 研能科技股份有限公司 发明人 莫自治;郭嘉雄;辜垣清;何礼志
分类号 C25D1/00 主分类号 C25D1/00
代理机构 代理人 蔡清福 台北巿忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种控制电力线分布之装置,系应用于电铸制程上,其包含:一阳极件,其因应一电力施加而分解出一特定物质之一离子;一阴极件,设于该阳极件之一相对位置,俾接收该离子以于其上形成一特定物质堆积层,且在该阴极件周缘绕设一导电层;一电铸介质,存在于该阳极件与该阴极件间,以传递该离子而形成一电力线;以及一遮蔽装置,设于该阳极板与该阴极板之间,具有一开孔,可令该电力线穿过该开孔发射至该阴极板上。2.如申请专利范围第1项所述之控制电力线分布之装置,其中该阳极件系为一阳极板,且其材质可为镍。3.如申请专利范围第1项所述之控制电力线分布之装置,其中该阴极件系为一阴极板,且其材质可为钛或铬。4.如申请专利范围第1项所述之控制电力线分布之装置,其中该阳极件与该阴极件之间距为15-30cm。5.如申请专利范围第1项所述之控制电力线分布之装置,其中该导电层材质系可为铜。6.如申请专利范围第1项所述之控制电力线分布之装置,其中该电铸介质为系为铵基磺酸镍、氯化镍及硼酸所组成。7.如申请专利范围第1项所述之控制电力线分布之装置,其中该遮蔽装置与该阴极板距离为1-5cm。8.一种控制电力线分布之方法,系应用于电铸制程上,该方法包括下列步骤:(a)提供一电铸槽,该电铸槽系包含一阳极件及一阴极件,且该阳极件,其因应一电力施加而分解出一特定物质之一离子,又具一电铸介质,存在于该阳极件与该阴极件间,以传递该离子而形成一电力线;(b)于该阴极件周缘施加一导电层;(c)提供一遮蔽装置,设于该阳极板与该阴极板之间;以及(d)通一电流于该阳极板与该阴极板间,俾因应其电流密度以产生该电力线。9.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(a)所示,其中该阳极件系为一阳极板,且其材质可为镍。10.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(a)所示,其中该阴极件系为一阴极板,设于该阳极件之一相对位置,俾接收该离子以于其上形成一特定物质堆积层,且其材质可为钛或铬。11.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(a)所示,其中该阳极件与该阴极件之间距为15-30cm。12.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(a)所示,其中该电铸介质系为铵基磺酸镍、氯化镍及硼酸所组成。13.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(b)所示,其中该导电层系由一导电胶带均匀黏附于该阴极板周缘,又该导电胶带宽度为0.3-0.6cm,且材质为铜。14.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(b)所示,其中该导电层亦可由复数段导电胶带连接成一封闭或非封闭区域,以黏附于该阴极板周缘。15.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(c)所示,其中该遮蔽装置与该阴极板间距为1-5cm。16.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(c)所示,其中该遮蔽装置系可为一单孔遮蔽板。17.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(d)所示,其中该电流密度为2.5-10DM。18.如申请专利范围第8项所述之控制电力线分布之方法,如步骤(d)所示,其中该电力线藉由穿过该遮蔽装置中之复数个开孔以均匀发射至该阴极板,并沈积该特定物质堆积层于该阴极板上。图式简单说明:第一图:习用之电铸装置示意图。第二图(a):习用之阴极极板示意图。第二图(b):习用之电铸装置中另加一遮蔽板之示意图。第三图(a):本案较佳实施例之阴极板示意图。第三图(b):本案较佳实施例之电铸装置示意图。
地址 新竹巿科学园区研发二路二十八号一楼
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