半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括鳍型图案，鳍型图案包括在鳍型图案的上部中的第一和第二氧化物区。鳍型图案在第一方向上延伸。第一纳米线在第一方向上延伸并与鳍型图案间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围并在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅电极设置在鳍型图案的一区域上。该区域位于第一氧化物区和第二氧化物区之间。第一源/漏极设置在第一氧化物区上并与第一纳米线的端部分连接。

主权项

一种半导体器件，包括：鳍型图案，包括在所述鳍型图案的上部中的第一氧化物区和第二氧化物区，其中所述鳍型图案在第一方向上延伸；第一纳米线，在所述第一方向上延伸并与所述鳍型图案间隔开；栅电极，围绕所述第一纳米线并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，其中所述栅电极设置在所述鳍型图案的一区域上，其中所述区域位于所述第一氧化物区和所述第二氧化物区之间；和第一源/漏极，设置在所述第一氧化物区上并与所述第一纳米线的端部分连接。