互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法

摘要

公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法。在一特定实施例中，CMOS器件包括硅基板、硅基板上的介电绝缘材料、以及介电绝缘材料上的延伸层。该CMOS器件还包括与沟道接触并与延伸区接触的栅极。该CMOS器件还包括与延伸区接触的源极和与延伸区接触的漏极。该延伸区包括与源极和栅极接触的第一区并包括与漏极和栅极接触的第二区。

主权项

一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括：基板；所述基板上的介电绝缘材料；所述介电绝缘材料上的延伸层，其中所述延伸层包括第一注入区、第二注入区和沟道区；所述第一注入区上的第一扩张区，其中所述第一扩张区形成源极与所述第一注入区之间的第一传导路径；所述第二注入区上的第二扩张区，其中所述第二扩张区形成漏极与所述第二注入区之间的第二传导路径；以及与所述沟道区、所述第一扩张区、所述第二扩张区、所述第一注入区、以及所述第二注入区接触的栅极堆叠，其中所述栅极堆叠包括栅极电极和栅极介电层，其中所述第一扩张区和所述第二扩张区包括未掺杂的半传导材料，以及其中所述第一扩张区和所述第二扩张区比所述沟道区更厚以减小电阻。