| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von Halbleitermaterialien während dem Aufwachsen eines gewünschten Mischkristalls (101) eines Verbindungshalbleiters auf ein Substrat (100) mit einer vorgegebenen Wachstumsrate, wobei das Verfahren eine Bestimmung der Materialzusammensetzung des gewünschten Mischkristalls (101) durch Messen der zeitlichen Änderung der Krümmung des Substrats während dem Aufwachsen umfasst, wobei aus der zeitlichen Änderung der Krümmung der Anteil der Komponenten im gewünschten Mischkristall (101) bestimmt wird. |
