摘要 |
【課題】電極の膜はがれによる信頼性低下が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】第1の面14と、第1の面14の反対側に設けられた第2の面12と、を有する炭化珪素層10と、第1の面14上に設けられた第1の絶縁膜40と、第1の絶縁膜40上に設けられた第1の電極34と、炭化珪素層10内に設けられ、一部が第1の面に設けられた第1導電型の第1の炭化珪素領域10bと、第1の炭化珪素領域10b内に設けられ、一部が第1の面14に設けられた第2導電型の第2の炭化珪素領域20と、第2の炭化珪素領域14内に設けられ、一部が第1の面に設けられた第1導電型の第3の炭化珪素領域22と、第2の面12に設けられ、金属とシリコンと炭素を含む第2の電極30と、第3の炭化珪素領域22と接して設けられ、金属とシリコンと炭素を含み、炭素濃度が第2の電極30より高い第3の電極32と、を備える。【選択図】図1 |