发明名称 |
双结单光子雪崩二极管及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了双结单光子雪崩二极管及其制作方法。现有双结结构光子探测效率低。本发明方法:对p‑衬底层掺杂形成p阱电荷层;p阱电荷层外端掺杂反型深n阱;反型深n阱内端掺杂p掺杂控制区域;反型深n阱外端掺杂n阱电荷层;n阱电荷层外围掺杂p‑型半导体层;n阱电荷层外端掺杂p+型光吸收层;阳极电极置于p+型光吸收层外端;p‑型半导体层外围掺杂n阱层和n+型半导体层,n+型半导体层掺入n阱层内;n+型半导体层外端设置阴极电极;反型深n阱外端掺杂p阱层和p+型半导体层,p+型半导体层掺入p阱层内;p+型半导体层外端设置GND电极。本发明具有实现短波/长波探测可调谐功能,且有更高的光子探测效率。 |
申请公布号 |
CN106531837A |
申请公布日期 |
2017.03.22 |
申请号 |
CN201611245601.4 |
申请日期 |
2016.12.29 |
申请人 |
杭州电子科技大学 |
发明人 |
卫振奇;张钰;王伟 |
分类号 |
H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/107(2006.01)I |
代理机构 |
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 |
代理人 |
杜军 |
主权项 |
双结单光子雪崩二极管,包括呈圆柱形的p‑衬底层、p阱电荷层、反型深n阱、n阱电荷层和p+型光吸收层,以及呈圆环形的p掺杂控制区域、n阱层、n+型半导体层、p‑型半导体层、p阱层、p+型半导体层、GND电极、阴极电极、阳极电极和二氧化硅层;其特征在于:所述的p‑衬底层、p阱电荷层、p掺杂控制区域、反型深n阱、n阱层、n+型半导体层、n阱电荷层、p‑型半导体层、p+型光吸收层、p阱层、p+型半导体层、GND电极、阴极电极、阳极电极和二氧化硅层均同轴设置;所述的反型深n阱位于p阱电荷层外端,且与p阱电荷层之间设有间隙;p掺杂控制区域的内径大于反型深n阱外径,且两端分别套于反型深n阱和p阱电荷层外;所述n阱层、n阱电荷层和p‑型半导体层的内端均与反型深n阱接触,且p‑型半导体层置于n阱层内;p+型光吸收层和n阱电荷层均置于p‑型半导体层内;p+型光吸收层的内端面与n阱电荷层接触,外端面与p‑型半导体层和n阱层的外端面均平齐,且p+型光吸收层的外径大于n阱电荷层的外径;所述的n+型半导体层置于n阱层外端面的凹槽内,且n阱层和n+型半导体层的外端面平齐;p阱层置于n阱层外,p+型半导体层置于p阱层的凹槽内,且p+型半导体层和p阱层的外端面均与n阱层平齐;所述的p+型光吸收层的外端面设置阳极电极,n+型半导体层的外端面设置阴极电极,p+型半导体层的外端面设置GND电极;所述的二氧化硅层覆盖n阱层、n+型半导体层、p‑型半导体层、p+型光吸收层、p阱层和p+型半导体层的外端。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |