半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备衬底、积层体、柱状部、及存储器膜。所述积层体设置在所述衬底上，且包含在与所述衬底的主面交叉的第1方向上相互隔开排列的多个导电层。所述柱状部包含在所述积层体内沿第1方向延伸的第1部分及设置在所述衬底内的第2部分。所述存储器膜设置在所述积层体与所述柱状部之间。所述第1部分在与所述第1方向交叉的第2方向上具有与所述多个导电层中的1个重叠的区域。所述区域在所述第2方向上的第1长度短于所述第2部分在所述第2方向上的第2长度。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于具备：衬底；积层体，设置在所述衬底上，且包含在与所述衬底的主面交叉的第1方向上相互隔开排列的多个导电层；柱状部，包含在所述积层体内沿所述第1方向延伸的第1部分及设置在所述衬底内的第2部分；以及存储器膜，设置在所述积层体与所述柱状部之间；且所述第1部分在与所述第1方向交叉的第2方向上具有与所述多个导电层中的1个重叠的区域，所述区域在所述第2方向上的第1长度短于所述第2部分在所述第2方向上的第2长度。