摩擦电子学晶体管及与非门、触发器、寄存器和计数器

摘要

本发明公开了一种浮栅式摩擦电子学晶体管，包括：基材，所述基材包括：沟道层；绝缘层，形成于沟道层之上；基片层，形成于绝缘层之上；两个金属电极，分别沉积于沟道层之下两个不同位置，引出浮栅式摩擦电子学晶体管的漏极和源极；金属栅极，形成于所述基片层之上；高分子基板，形成于栅极导电层之上；金属膜，形成于高分子基板之上，通过过孔与金属栅极连接；移动摩擦件，其能够在外力作用下移动，与金属膜接触或分离。本发明还提供基于所述浮栅式摩擦电子学晶体管的与非门、触发器、寄存器和计数器。本发明基于接触触发的机电时序逻辑运算，实现集成的机电耦合控制的时序逻辑存储与计算，解决了外界环境与硅基集成电路的主动式直接交互问题。

主权项

一种浮栅式摩擦电子学晶体管，其特征在于，包括：基材，所述基材包括：沟道层，其材料为n型硅；绝缘层，形成于沟道层之上，其材料为二氧化硅；基片层，形成于绝缘层之上，其材料为重掺n型硅；两个金属电极，分别沉积于沟道层之下两个不同位置，引出浮栅式摩擦电子学晶体管的漏极和源极；金属栅极，形成于所述基片层之上；高分子基板，形成于栅极导电层之上；金属膜，形成于高分子基板之上，通过过孔与金属栅极连接；移动摩擦件，其材料为高分子聚合物，其能够在外力作用下移动，与金属膜接触或分离。