发明名称 |
电致发光基板及其制造方法、电致发光显示面板、电致发光显示装置 |
摘要 |
EL基板在栅极绝缘膜(14)上具备TFT(20、30)的半导体层(22、32)、像素电极(51)和Cs部(40)的上部电极(42),半导体层(22、32)由具有使像素电极(51)和上部电极(42)露出的开口部(17a、17b)的保护膜(17)覆盖,半导体层(22、32)为氧化物半导体层(15),像素电极(51)和上部电极(42)为氧化物半导体层(15)的还原电极。 |
申请公布号 |
CN104769658B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201380056374.9 |
申请日期 |
2013.10.24 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
高丸泰 |
分类号 |
G09F9/30(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I |
主分类号 |
G09F9/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳;池兵 |
主权项 |
一种电致发光基板,其特征在于:在栅极绝缘膜上设置有晶体管的半导体层、电致发光元件的下部电极和电容器部的上部电极,在所述半导体层、所述下部电极和所述上部电极的上层设置有保护层,所述保护层具有使所述下部电极和所述上部电极露出的开口部,所述半导体层为氧化物半导体层,所述下部电极和所述上部电极为将在所述栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体层还原而形成的氧化物半导体层的还原电极。 |
地址 |
日本大阪府 |