METHOD OF RECUDING CONTACT RESISTANCE OF MOS-FET

摘要

본 발명은 모스펫의 콘택이 텔루륨-니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로 형성되어 접촉저항을 감소시키는 기술에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본발명의 콘택은 인듐갈륨아세아니드가 적층된 기판의 소오스 및 드레인 영역에 텔루륨층과 니켈층을 적층하고 열처리하여 얻어진다. 본 발명의 실시 예에 따른 콘택의 접촉저항은 니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로 형성된 콘택에 비해 현저하게 낮다.