| 摘要 |
【課題】サージ電圧を抑制しつつ誤動作を防止することが可能な半導体スイッチ回路及び半導体リレー回路を提供する。【解決手段】半導体スイッチ回路は、パワーＭＯＳＦＥＴと、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン・ゲート間に接続されたアクティブクランプとしての電圧制限回路と、電圧制限回路に直列接続されてパワーＭＯＳＦＥＴをオン状態にする制御信号によってオン状態になる第１ＭＯＳＦＥＴと、第１ＭＯＳＦＥＴのソース・ゲート間に接続され、パワーＭＯＳＦＥＴをオフ状態にする制御信号が入力されてから、予め設定された一定時間だけ第１ＭＯＳＦＥＴのオン状態を維持するコンデンサとを備える。【選択図】図１ |
