| 摘要 |
본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지며, 성장기판에 형성된 복수의 반도체층;으로서, 식각 또는 절단된 측면들을 가지는 복수의 반도체층; 활성층에서 생성된 빛을 성장 기판 측으로 반사하도록 복수의 반도체층 위에 형성된 비도전성 반사막; 비도전성 반사막 위에 형성되며, 제1 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 그리고 비도전성 반사막 위에 제1 전극과 대향하게 형성되며, 제2 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 포함하며, 평면도(top view)로 볼 때, 제1 전극 및 제2 전극과 복수의 반도체층의 측면들까지의 거리는 50㎛ 이상이어서, 비도전성 반사막에 발생한 크랙이 제1 전극 및 제2 전극까지 전파되는 것이 억제된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. |
