| 摘要 |
【課題】β−Ｇａ２Ｏ３基板上に形成された表面状態の良好な窒化物半導体層を有する半導体積層構造体及びその製造方法、並びにその半導体積層構造体を含む半導体素子を提供する。【解決手段】（−２０１）面若しくは（１０１）面、又はその面を基準とするオフセット面を主面２ａとする、β−Ｇａ２Ｏ３結晶からなる基板２と、バッファ層３を介して基板２上に形成された窒化物半導体層４と、を有し、窒化物半導体層４の主面４ａにおける、第１の方向へのオフセット角度が−０．３５°以上−０．１５°以下又は０．１５°以上０．３５以下であり、第２の方向へのオフセット角度が−０．３５°以上０．３５°以下である、半導体積層構造体１を提供する。【選択図】図２ |
