发明名称 Manufacturing method of thin film transistor substrate
摘要 본 발명의 일 실시예는, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 색을 구현하는 표시 영역과 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 각각 구비한 복수의 화소들을 형성하는 단계; 및 상기 비표시 영역 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 비표시 영역에는, 상기 복수의 화소들과 전기적으로 연결되고 제1 방향을 따라 연장되는 게이트 라인, 및 상기 복수의 화소들과 전기적으로 연결되고 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 라인이 형성되고, 상기 블랙 매트릭스는, 상기 게이트 라인과 중첩하도록 형성된 제1 블랙 매트릭스와 상기 데이터 라인과 중첩하도록 형성된 제2 블랙 매트릭스를 포함하고, 상기 제2 블랙 매트릭스의 종횡비는 상기 제1 블랙 매트릭스의 종횡비보다 크게 형성되는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 개시한다.
申请公布号 KR20170005327(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 KR20150095279 申请日期 2015.07.03
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 강민정;박대연;엄누리
分类号 G02F1/1368;H01L27/32;H01L29/786 主分类号 G02F1/1368
代理机构 代理人
主权项
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