电平移位器和高电压逻辑电路

摘要

本发明描述用具有相对于输入信号和输出信号的电压摆动来说为低的击穿电压的MOS晶体管所实施的电平移位器和高电压逻辑电路。在示范性设计中，电平移位器(102)包含驱动器电路(110)和锁存器(140)。所述驱动器电路接收具有第一电压范围的输入信号(V_inp、V_inn)，并提供具有第二电压范围的驱动信号(V_drp、V_drn)。所述第一电压范围和所述第二电压范围可涵盖正电压和负电压，或不同范围的正电压。所述锁存器接收所述驱动信号，并提供具有所述第二电压范围的输出信号(V_outp、V_outn)。所述驱动器电路可基于所述输入信号而产生具有全电压范围的控制信号(V_ctrip、V_ctrin)，且可接着基于所述控制信号而产生所述驱动信号。所述电平移位器可用以实施高电压逻辑电路。

主权项

一种电子设备，其包括：电平移位器，其用以接收具有第一电压范围的至少一个输入信号并提供具有第二电压范围的至少一个经电平移位的信号；第一电路，其用以基于逻辑功能来处理所述至少一个输入信号并提供具有所述第一电压范围的第一中间信号；第二电路，其用以基于所述逻辑功能来处理所述至少一个经电平移位的信号并提供具有所述第二电压范围的第二中间信号；以及输出电路，其用以接收所述第一中间信号和所述第二中间信号并提供具有大于所述第一电压范围和所述第二电压范围中的每一者的第三电压范围的输出信号，其中所述输出电路包括P沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，其用以在源极处接收所述第一中间信号且在漏极处提供所述输出信号，以及N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，其耦合到所述PMOS晶体管且用以在源极处接收所述第二中间信号且在漏极处提供所述输出信号。