用于保护在高应力条件下操作的电子电路的装置和方法

摘要

提供在高应力操作条件下电子电路保护的装置和方法。在一个实施方案中，一种装置包括衬底(47)，其具有第一p阱(44c)、邻近第一p阱的第二p阱(44b)，以及使第一p阱与第二p阱分离的n型区(46)。n型有源区(43b)在第一p阱上面并且p型有源区(42b)在第二p阱上面。n型有源区和p型有源区分别电连接到高反向阻断电压(HRBV)设备(40)的阴极和阳极。n型有源区、第一p阱和n型区操作为NPN双极晶体管(58a)，并且第二p阱、n型区和第一p阱操作为PNP双极晶体管(53a)。NPN双极晶体管定义HRBV设备的相对较低的正向触发电压，并且PNP双极晶体管定义HRBV设备的相对较高的反向击穿电压。

主权项

一种用于提供防御瞬态电事件的保护的装置，其包括：半导体衬底，其包括第一p阱和邻近所述第一p阱的第二p阱，其中所述第一p阱与所述第二p阱由n型区分离；在所述第一p阱上面的第一n型有源区，所述第一n型有源区电连接到第一高反向阻断电压HRBV设备的阴极；以及在所述第二p阱上面的第一p型有源区，所述第一p型有源区电连接到所述第一HRBV设备的阳极，其中所述第一n型有源区、所述第一p阱和所述n型区被配置成分别操作为NPN双极晶体管的发射极、基极和集电极，并且其中所述第二p阱、所述n型区和所述第一p阱被配置成分别操作为PNP双极晶体管的发射极、基极和集电极，所述NPN双极晶体管定义所述第一HRBV设备的正向触发电压，并且所述PNP双极晶体管定义所述第一HRBV设备的反向击穿电压；电连接在接合衬垫和参考电压之间的第一保护电路，其中所述第一保护电路包括所述第一HRBV设备，其中当在所述接合衬垫和所述参考电压之间接收的瞬态电事件具有第一电压极性时，所述第一保护电路被配置为激活以针对所述接合衬垫和所述参考电压之间接收的所述瞬态电事件来提供保护，并且其中所述第一HRBV设备被配置为当所述瞬态电事件具有与所述第一电压极性相反的第二电压极性时防止所述第一保护电路激活。